[发明专利]一种微米级沟槽填充方法

权利要求书

1.一种微米级沟槽填充方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、在带有沟槽的已图形化衬底上沉积薄膜；

步骤二、对步骤一沉积的薄膜进行原位刻蚀，减少已沉积的薄膜对槽口附近的封口程度，所述刻蚀的厚度小于步骤一中薄膜沉积的厚度；

步骤三、步骤一的薄膜沉积与步骤二的刻蚀合为一个循环进行薄膜填充，该循环中经沉积刻蚀后得到薄膜的厚度为沟槽深度的1/100-1/10，重复多次循环，直至图形化衬底上的微米级沟槽完成填充。

2.根据权利要求1所述的一种微米级沟槽填充方法，其特征在于：所述步骤一中采用ICP-CVD方法沉积薄膜。

3.根据权利要求1所述的一种微米级沟槽填充方法，其特征在于：所述薄膜的材料为氮化硅、氧化硅、非晶硅、氮氧化硅、碳化硅或氮碳化硅。

4.根据权利要求1所述的一种微米级沟槽填充方法，其特征在于：所述刻蚀气体为非薄膜沉积气体。

5.根据权利要求1所述的一种微米级沟槽填充方法，其特征在于：所述刻蚀气体为氮气、氩气、氦气、氙气、氖气、氢气、氮气中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的一种微米级沟槽填充方法，其特征在于：所述步骤二中刻蚀的温度为25~400℃，所述刻蚀的时间为1~300s，所述刻蚀气体的流量为10-1000 sccm，所述刻蚀的压强为10-100 mTorr，所述轰击功率为10~3000 W。