[发明专利]描绘方法以及描绘装置

说明书

本发明抑制焦深的降低等，并且实现所形成的图案形状的微细化。描绘方法具备：相对于感光材料以在至少一部分具有第1位移图案的第2描绘图案照射描绘光的工序；使感光材料显影的工序、以及在基板的上表面形成第1图案形状的工序，第1位移图案是与第1描绘图案中的对应的单位图案至少一部分重叠且从对应的单位图案偏移的单位图案。

技术领域

本申请说明书中公开的技术涉及描绘方法以及描绘装置。

背景技术

以往，公开了一种曝光装置(即，描绘装置)，在对用于在形成于基板的上表面的感光材料形成电路等的描绘图案进行曝光时，不使用掩模等，而利用根据记述描绘图案的数据而被调制的光(即，描绘光)，对基板的上表面的感光材料进行扫描，由此在该感光材料直接对描绘图案进行曝光(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014－066954号公报

基于由上述的描绘装置描绘的描绘图案而形成的图案形状伴随着近年来的半导体器件的微细化以及高功能化，而被期望进一步的微细化。

然而，图案形状的微细化存在焦深(depth of focus，即，DOF)的降低等相伴，另外，用于实现微细化的装置的制造成本也增大的问题。

发明内容

本申请说明书所公开的技术是鉴于以上记载的问题而完成的，其目的在于，提供一种抑制焦深的降低等，并且用于实现所形成的图案形状的微细化的技术。

本申请说明书所公开的技术的第1方式包括如下工序：以第1描绘图案对配置于基板的上表面的感光材料照射描绘光；以在至少一部分具有第1位移图案的第2描绘图案对上述感光材料照射上述描绘光；在以上述第1描绘图案以及上述第2描绘图案的上述描绘光的照射后使上述感光材料显影；以及基于显影的上述感光材料在上述基板的上表面形成第1图案形状，上述第1位移图案是至少一部分与上述第1描绘图案中的对应的单位图案重叠且从对应的上述单位图案偏移的上述单位图案。

本申请说明书所公开的技术的第2方式与第1方式相关，上述单位图案呈线形状，上述第1位移图案是从对应的上述单位图案向与上述线形状延伸的方向交叉的方向偏移的上述单位图案。

本申请说明书所公开的技术的第3方式与第1方式或者第2方式相关，被照射上述描绘光的上述感光材料的至少一部分在显影后被去除。

本申请说明书所公开的技术的第4方式与第3方式相关，在仅以上述第1描绘图案的上述描绘光以及以上述第2描绘图案的上述描绘光中的任一方的照射后被显影的情况下，上述感光材料在显影后不被去除，并且在以上述第1描绘图案的上述描绘光以及以上述第2描绘图案的上述描绘光双方的照射后被显影的情况下，上述感光材料在显影后被去除。

本申请说明书所公开的技术的第5方式与第1方式或者第2方式相关，被照射上述描绘光的上述感光材料在显影后残留。

本申请说明书所公开的技术的第6方式与第1方式～第5方式中的任一个方式相关，还包括如下工序：在与形成有上述第1图案形状的区域邻接的区域即邻接区域中，以第3描绘图案对上述感光材料照射上述描绘光；在上述邻接区域中，以在至少一部分具有第2位移图案的第4描绘图案对上述感光材料照射上述描绘光；在以上述第3描绘图案以及上述第4描绘图案的上述描绘光的照射后使上述感光材料显影；以及基于显影的上述感光材料在上述基板的上表面形成第2图案形状，上述第2位移图案是至少一部分与上述第3描绘图案中的对应的上述单位图案重叠且从对应的上述单位图案偏移的上述单位图案。

本申请说明书所公开的技术的第7方式与第6方式相关，上述单位图案呈线形状，上述第2位移图案是从对应的上述单位图案向与上述线形状延伸的方向交叉的方向偏移的上述单位图案。