[发明专利]一种用于沟槽栅VDMOS器件老化的方法和老化设备

权利要求书

1.一种用于沟槽栅VDMOS器件老化的方法，其特征在于，所述方法包括：

将待老化VDMOS器件置于老化设备中；

控制电路输出第一控制信号，控制可控电压源向所述待老化VDMOS器件的漏极施加正电压至达到所述待老化VDMOS器件的击穿电压；

所述控制电路根据设定老化时间启动计时；

在所述设定老化时间内，所述控制电路获取所述待老化VDMOS器件的漏源电流的第一实时监测信号，并且获取所述待老化VDMOS器件的器件表面温度的第二实时监测信号，根据所述第一实时监测信号和第二实时监测信号输出第二控制信号；所述可控电压源根据所述第二控制信号调整输出电压，使得所述待老化VDMOS器件的漏源电流在第一预设范围内且所述器件表面温度在第二预设范围内；

计时结束后，对所述待老化VDMOS器件进行降温处理后从老化设备中取出，得到老化处理后的沟槽栅VDMOS器件。

2.根据权利要求1所述的用于沟槽栅VDMOS器件老化的方法，其特征在于，所述第一预设范围为0.1uA-1mA。

3.根据权利要求1所述的用于沟槽栅VDMOS器件老化的方法，其特征在于，所述第二预设范围不超过200℃。

4.根据权利要求1所述的用于沟槽栅VDMOS器件老化的方法，其特征在于，所述降温处理为阶梯式降温。

5.一种老化设备，用于上述权利要求1-4任一所述的用于沟槽栅VDMOS器件老化的方法，其特征在于，所述老化设备包括：控制电路、热电偶、数字电流表和可控电压源。

6.根据权利要求6所述的老化设备，其特征在于，所述控制电路分别与所述热电偶、数字电流表和可控电压源相连接；所述数字电流表和可控电压源串联连接在待老化VDMOS器件的漏极和源极，其中可控电压源的输出正极与漏极相接，输出负极源极相接；待老化VDMOS器件的栅极接地。