[发明专利]曲面屏和曲面屏的制造方法有效
申请号: | 202010843693.6 | 申请日: | 2020-08-20 |
公开(公告)号: | CN112038370B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 张明 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 曲面 制造 方法 | ||
1.一种曲面屏,其特征在于,该曲面屏内设有Lens层(6),所述Lens层(6)的Lens覆盖在子像素的上方;所述曲面屏包括平面区(1)和曲面区(2),所述平面区(1)内的Lens直径小于所述曲面区(2)内同一颜色子像素对应的Lens直径,所述曲面区(2)内同一颜色子像素对应的Lens直径从靠近平面区(1)向远离平面区(1)的方向逐渐增大。
2.根据权利要求1所述的曲面屏,其特征在于,所述Lens的中心与所述Lens覆盖的子像素的中心对齐。
3.根据权利要求1或2所述的曲面屏,其特征在于,所述曲面区(2)内同一颜色子像素对应的Lens直径的取值范围为D0~2D0,其中,D0为子像素的边长。
4.根据权利要求1所述的曲面屏,其特征在于,R子像素、G子像素和B子像素对应的Lens直径不同。
5.根据权利要求1所述的曲面屏,其特征在于,所述Lens为凹透镜。
6.根据权利要求1所述的曲面屏,其特征在于,所述Lens为凸透镜。
7.一种曲面屏的制造方法,其特征在于,其包括以下步骤:
S1、提供已形成阵列(3)、EL膜(4)和TFE膜层(5)的基板;
S2、在TFE膜层(5)上涂覆一层有机材料,所述有机材料经曝光-显影形成Lens层(6),平面区(1)内的Lens直径小于曲面区(2)内同一颜色子像素对应的Lens直径,曲面区(2)内同一颜色子像素对应的Lens直径从靠近平面区(1)向远离平面区(1)的方向逐渐增大;
S3、在Lens层(6)上涂覆一层平坦化层(7)。
8.根据权利要求7所述的曲面屏的制造方法,其特征在于,所述有机材料的折射系数为1.3~1.9。
9.一种曲面屏的制造方法,其特征在于,其包括以下步骤:
S1、提供已形成阵列(3)和EL膜(4)的基板;
S2、在EL膜(4)上采用CVD形成第一TFE阻挡层(51);
S3、在第一TFE阻挡层(51)上涂覆一层有机材料,所述有机材料经曝光-显影形成Lens层(6),平面区(1)内的Lens直径小于曲面区(2)内同一颜色子像素对应的Lens直径,曲面区(2)内同一颜色子像素对应的Lens直径从靠近平面区(1)向远离平面区(1)的方向逐渐增大;
S4、在Lens层(6)上涂覆一层平坦化层(7);
S5、在平坦化层(7)上采用CVD形成第二TFE阻挡层(53)。
10.根据权利要求9所述的曲面屏的制造方法,其特征在于,所述有机材料的折射系数为1.3~1.9。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的