[发明专利]一种真空断路器用触头及其制备方法，真空断路器、真空断路器触头用合金镀层材料有效
| 申请号： | 202010843985.X | 申请日： | 2020-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN112126898B | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 郝留成;苗晓军;李凯;李玉楼;李雁淮;庞亚娟;范艳艳;李小钊;薛从军;王晓琴;徐仲勋;尹婷;段方维;刘苪彤 | 申请（专利权）人： | 平高集团有限公司;国家电网有限公司;国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院;西安交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/35;C22C9/00;H01H33/664;H01H11/04 |
| 代理公司： | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人： | 郭佳效 |
| 地址： | 467001 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 真空 断路 器用 及其 制备 方法 断路器 触头用 合金 镀层 材料 | ||
1.一种真空断路器用触头，其特征在于，包括触头基底以及通过磁控溅射镀覆在触头基底上的表面镀层，所述表面镀层由以下质量百分比的组分组成：Cr 18-25％，Mo 5-10％，Ta20-30％，余量为Cu。
2.如权利要求1所述的真空断路器用触头，其特征在于，所述表面镀层的厚度为1-20μm。
3.如权利要求1或2所述的真空断路器用触头，其特征在于，所述触头基底为铜或铜铬合金，铜铬合金中铜的质量分数为10-50％。
4.一种如权利要求1或2或3所述的真空断路器用触头的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：以氩气为工作气体，纯Cu靶、纯Ta靶、纯Cr靶、纯Mo靶为靶材，在触头基底表面进行磁控共溅射沉积。
5.如权利要求4所述的真空断路器用触头的制备方法，其特征在于，所述工作气体的流量为25-35sccm，工作气压为0.3-0.7Pa。
6.如权利要求4或5所述的真空断路器用触头的制备方法，其特征在于，纯Cu靶的溅射功率为80-100W，纯Ta靶的溅射功率为60-120W，纯Cr靶的溅射功率为50-130W，纯Mo靶的溅射功率为120-150W；共溅射的时间为60-90min。
7.一种真空断路器，其特征在于，包括触头，所述触头包括触头基底以及通过磁控溅射镀覆在触头基底上的表面镀层，所述表面镀层由以下质量百分比的组分组成：Cr 18-25％，Mo 5-10％，Ta 20-30％，余量为Cu。
8.如权利要求7所述的真空断路器，其特征在于，所述表面镀层的厚度为1-20μm。
9.如权利要求7所述的真空断路器，其特征在于，所述触头基底为铜或铜铬合金，铜铬合金中铜的质量分数为10-50％。
10.一种真空断路器触头用合金镀层材料，其特征在于，所述合金镀层材料由以下质量百分比的组分组成：Cr 18-25％，Mo 5-10％，Ta 20-30％，余量为Cu。
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