[发明专利]一种T型悬臂梁微结构及其加工方法和应用

权利要求书

1.一种T型悬臂梁微结构的加工方法，其特征在于，包括如下具体步骤：

S1.在清洗的硅基表面上采用800～850℃低压化学气相沉积法生长氮化硅，然后旋涂光刻胶，将用所需图形的掩模板覆盖在光刻胶上，在紫外光下对氮化硅SiN₄层表面的光刻胶进行曝光显影得到图案；通过光刻在该氮化硅基底上，加工出各种图案，出现基底的显影区域，然后在CHF₃/O₂条件下，用等离子体干法各向异性刻蚀该显影区域；

S2.利用电子束在步骤S1处理的氮化硅表面上进行蒸镀贵金属膜，得到镀贵金属的氮化硅基底；

S3.将镀贵金属的氮化硅基底浸入刻蚀液中搅拌，进行各向同性刻蚀，得到上宽下窄的微结构，清洗其表面，制得T型悬臂梁微结构。

2.根据权利要求1所述的T型悬臂梁微结构的加工方法，其特征在于，步骤S1中所述清洗的过程为：先用体积比为1：1的91～96wt％的H₂SO₄和25～30wt％的H₂O₂食人鱼溶液在100～110℃处理10～15min，然后用2～5wt％的HF溶液处理2～3min，最后用氮气吹干。

3.根据权利要求1所述的T型悬臂梁微结构的加工方法，其特征在于，步骤S1中所述气相沉积的时间为30～35min。

4.根据权利要求1所述的T型悬臂梁微结构的加工方法，其特征在于，步骤S1中所述氮化硅的厚度为200～250nm。

5.根据权利要求1所述的T型悬臂梁微结构的加工方法，其特征在于，步骤S2中所述贵金属为金、银或铂；所述贵金属膜的厚度为12～16nm。

6.根据权利要求1所述的T型悬臂梁微结构的加工方法，其特征在于，步骤S3中所述刻蚀液为HF、HNO₃和CH₃COOH的混合液。

7.根据权利要求6所述的T型悬臂梁微结构的加工方法，其特征在于，所述HF、HNO₃和CH₃COOH的体积比为(2～4)：(20～25)：(10～12)；所述HF的浓度为48～50wt％，HNO₃的浓度为55～60wt％：CH₃COOH的浓度为95～98wt％。

8.根据权利要求1所述的T型悬臂梁微结构的加工方法，其特征在于，步骤S3中所述搅拌的速率为300～350rpm，所述刻蚀的时间为3～5min。

9.一种T型悬臂梁微结构，其特征在于，所述T型悬臂梁微结构是由权利要求1-8任一项所述的方法制得。

10.权利要求9所述的T型悬臂梁微结构在水栖设备、防水防油、微流体技术或生物医疗领域中的应用。