[发明专利]一种具有界面增强结构的二硒化钴/碳基柔性电极材料的制备方法及应用

权利要求书

1.一种具有界面增强结构的二硒化钴/碳基柔性电极材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）将碳布进行亲水化处理；

（2）配制含有Co²⁺的金属盐溶液，加入2-甲基咪唑溶液，混合均匀后得混合液，在混合液中加入亲水化处理后的碳布，静置反应后得到Co-MOF@CC复合材料；

（3）将步骤（2）得到的Co-MOF@CC复合材料采用CVD法生长碳纳米管，得到Co/N-CNT@CC复合材料；

（4）将步骤（3）得到的Co/N-CNT@CC复合材料硒化处理，得到CoSe₂/N-CNT@CC复合材料；

（5）将步骤（4）得到的CoSe₂/N-CNT@CC复合材料与凝胶电解质复合，即得具有界面增强结构的二硒化钴/碳基柔性电极材料。

2.根据权利要求1所述的一种具有界面增强结构的二硒化钴/碳基柔性电极材料的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，亲水化处理为：将碳布置于浓硝酸中75~85℃中处理4~5h。

3.根据权利要求1所述的一种具有界面增强结构的二硒化钴/碳基柔性电极材料的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，所述含有Co²⁺的金属盐溶液中还包括Zn²⁺或Ni²⁺。

4.根据权利要求3所述的一种具有界面增强结构的二硒化钴/碳基柔性电极材料的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，所述含有Co²⁺的金属盐溶液中：Zn²⁺或Ni²⁺与Co²⁺的摩尔比为（0.05~0.15）：1。

5.根据权利要求1所述的一种具有界面增强结构的二硒化钴/碳基柔性电极材料的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，所述混合液中2-甲基咪唑溶液与Co²⁺的摩尔比为（7~9）：1。

6.根据权利要求1所述的一种具有界面增强结构的二硒化钴/碳基柔性电极材料的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，CVD法生长碳纳米管的温度为300~800℃。

7.根据权利要求1所述的一种具有界面增强结构的二硒化钴/碳基柔性电极材料的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，CVD法生长碳纳米管的碳源为乙醇。

8.根据权利要求1所述的一种具有界面增强结构的二硒化钴/碳基柔性电极材料的制备方法，其特征在于，步骤（4）中，硒化处理温度为300~800℃，时间为0.5~10h。

9.根据权利要求1所述的一种具有界面增强结构的二硒化钴/碳基柔性电极材料的制备方法，其特征在于，步骤（4）中，硒化处理时，加入硒粉，所述硒粉与Co/N-CNT@CC复合材料的质量比为（0.1 ~ 10）：1。

10.一种如权利要求1-9任一所述的制备方法制得的具有界面增强结构的二硒化钴/碳基柔性电极材料在锌空电池中的应用。