[发明专利]一种可屏蔽噪声的集成电路版图结构在审
申请号: | 202010845544.3 | 申请日: | 2020-08-20 |
公开(公告)号: | CN111916445A | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | 袁永斌;张涛;朱林;李雯靓 | 申请(专利权)人: | 苏州知码芯信息科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 上海千寻知识产权代理事务所(普通合伙) 31353 | 代理人: | 吴小丽;吴红斐 |
地址: | 215500 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 屏蔽 噪声 集成电路 版图 结构 | ||
1.一种可屏蔽噪声的集成电路版图结构,其特征在于,所述的版图包括:
核心版图;
第一防噪网,所述的第一防噪网铺设在所述核心版图的第一面上;
第二防噪网,所述的第二防噪网铺设在所述核心版图的第二面上;
所述的第一防噪网和所述的第二防噪网形成用于给位于中间的所述核心版图屏蔽噪声的屏蔽罩。
2.如权利要求1所述的一种可屏蔽噪声的集成电路版图结构,其特征在于,所述的第一防噪网完全覆盖所述的核心版图。
3.如权利要求1所述的一种可屏蔽噪声的集成电路版图结构,其特征在于,所述的第二防噪网完全覆盖所述的核心版图。
4.如权利要求1所述的一种可屏蔽噪声的集成电路版图结构,其特征在于,所述的第一防噪网由所述版图的电源线曲折形成。
5.如权利要求1所述的一种可屏蔽噪声的集成电路版图结构,其特征在于,所述的第二防噪网由所述版图的地线曲折形成。
6.如权利要求1所述的一种可屏蔽噪声的集成电路版图结构,其特征在于,所述的第一防噪网包括若干个水平间隔设置的第一水平段和若干个竖直间隔设置的第一竖直段,所述的第一水平段和所述的第一竖直段相垂直,且所述的第一防噪网是由所述第一水平段和所述第一竖直段交织形成的网栅。
7.如权利要求1所述的一种可屏蔽噪声的集成电路版图结构,其特征在于,所述的第二防噪网包括若干个水平间隔设置的第二水平段和若干个竖直间隔设置的第二竖直段,所述的第二水平段和所述的第二竖直段相垂直,且所述的第二防噪网由所述第二水平段和所述第二竖直段交织形成的网栅。
8.如权利要求1所述的一种可屏蔽噪声的集成电路版图结构,其特征在于,所述的第一面是所述版图的表面,所述的第二面是所述版图的底面。
9.如权利要求1所述的一种可屏蔽噪声的集成电路版图结构,其特征在于,所述的第一防噪网的材质与所述版图顶层的金属材质相同。
10.如权利要求1所述的一种可屏蔽噪声的集成电路版图结构,其特征在于,所述的第二防噪网的材质与所述版图次顶层的金属材质相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的