[发明专利]一种基于异质结的圆偏振光检测器有效
| 申请号： | 202010845756.1 | 申请日： | 2020-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN111952457B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 邱龙臻;姚宏兵;王冠龙;张灿;赵丰胜 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | H10K30/30 | 分类号： | H10K30/30;H10K30/81 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 卢敏 |
| 地址： | 230009 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 异质结 偏振光 检测器 | ||
1.一种基于异质结的圆偏振光检测器，其特征在于：包括基底层(1)，在所述基底层(1)上设置有绝缘介电层(2)，在所述绝缘介电层(2)上设置有电荷传输层(3)，在所述电荷传输层(3)上设置有圆偏振光敏感层(4)，在所述圆偏振光敏感层(4)上间隔设置有源电极(5)和漏电极(6)；
所述电荷传输层(3)与所述圆偏振光敏感层(4)构成异质结结构，且所述圆偏振光敏感层(4)在圆偏振光照射下可产生手性活性，从而实现圆偏振光的检测；
所述圆偏振光敏感层为F8BT、F6BT或其它聚芴衍生物中的一种；所述电荷传输层为3-己基取代聚噻吩、吡咯并吡咯二酮或其衍生物中的一种。
2.根据权利要求1所述的圆偏振光检测器，其特征在于：所述基底层为Si基底、PET基底或PI基底中的一种。
3.根据权利要求2所述的圆偏振光检测器，其特征在于：所述基底层同时作为所述圆偏振光检测器的栅电极，或在所述基底层与所述绝缘介电层之间另外设置有栅电极。
4.根据权利要求3所述的圆偏振光检测器，其特征在于：另外设置的所述栅电极为Ni电极或Al电极。
5.根据权利要求1所述的圆偏振光检测器，其特征在于：所述绝缘介电层(2)为SiO2层、Al2O3层或PMMA层。
6.根据权利要求1所述的圆偏振光检测器，其特征在于：所述源电极(5)和所述漏电极(6)为Ni电极、Au电极或Al电极。
7.根据权利要求1所述的圆偏振光检测器，其特征在于：所述源电极(5)和所述漏电极(6)之间的距离在10μm-100μm之间。
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