[发明专利]一种基于三电平T型拓扑布局的变流器在审

专利信息
申请号: 202010845761.2 申请日: 2020-08-20
公开(公告)号: CN112134471A 公开(公告)日: 2020-12-25
发明(设计)人: 仲华;齐亮;王旭;陈江洪;陈尚文;于涛;潘嘉科;陈光;肖智明 申请(专利权)人: 上海电气富士电机电气技术有限公司
主分类号: H02M7/00 分类号: H02M7/00;H02M7/483
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 俞涤炯
地址: 201100 上海市闵*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 电平 拓扑 布局 变流器
【权利要求书】:

1.一种基于三电平T型拓扑布局的变流器,其特征在于,包括:

一电容组;

复数个变流单元,每个所述变流单元与所述电容组通过一第一母排可拆卸地连接;

所述电容组通过一第二母排可拆卸地连接一第一母排;

每个所述变流单元通过一第三母排可拆卸地连接一第一母排;

用以通过拆除所述第一母排、所述第二母排以及所述第三母排,以实现所述电容组和每个所述变流单元之间的独立安装。

2.如权利要求1所述的变流器,其特征在于,每个所述变流单元包括一控制电路,所述控制电路包括:

至少四个MOS管,至少四个所述MOS管包括一第一MOS管、一第二MOS管、一第三MOS管以及一第四MOS管;

至少两个电容,至少两个电容包括一第一电容以及一第二电容。

3.如权利要求1所述的变流器,其特征在于,所述控制电路还包括:

一三相输出端;

三个输入端,所述三个输入端分别包括一第一输入端、一第二输入端以及一第三输入端。

4.如权利要求3所述的变流器,其特征在于,所述第一MOS管连接于所述第一输入端和所述三相输出端之间;

所述第一MOS管的漏极连接至所述第一输入端,所述第一MOS管的源极连接至所述三相输出端。

5.如权利要求3所述的变流器,其特征在于,所述第二MOS管连接于所述第三输入端和所述三相输出端之间;

所述第二MOS管漏极连接至所述三相输出端,所述第二MOS管的源极连接至所述第三输入端。

6.如权利要求3所述的变流器,其特征在于,所述第一电容的正极连接至所述第一输入端,所述第一电容的负极连接至所述第二输入端。

7.如权利要求3所述的变流器,其特征在于,所述第二电容的正极连接至所述第二输入端,所述第二电容的负极连接至所述第三输入端。

8.如权利要求3所述的变流器,其特征在于,所述第三MOS管的漏极连接至所述三相输出端。

9.如权利要求3所述的变流器,其特征在于,所述第四MOS管的漏极连接至所述第二输入端,所述第四MOS管的源极连接至所述第三MOS管的源极。

10.如权利要求9所述的变流器,其特征在于,所述电容组中的电容与所述第二母排串联;和\或

所述电容组中的电容与所述第二母排并联;

每个所述变流单元与所述第三母排串联;和\或

每个所述变流单元与所述第三母排并联。

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