[发明专利]边沿控制电路及其驱动方法和电子设备有效

专利信息
申请号: 202010846602.4 申请日: 2020-08-20
公开(公告)号: CN112165308B 公开(公告)日: 2023-06-02
发明(设计)人: 杨志飞 申请(专利权)人: 上海艾为电子技术股份有限公司
主分类号: H03F3/217 分类号: H03F3/217
代理公司: 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 代理人: 王敏生
地址: 201100 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 边沿 控制电路 及其 驱动 方法 电子设备
【权利要求书】:

1.一种边沿控制电路,能够根据脉冲宽度调制信号输出负载电压,其特征在于,包括:

功率输出电路,与外部负载连接,用于输出所述负载电压到外部负载,外部负载能够通过所述功率输出电路充电或放电;

驱动电路,根据所述脉冲宽度调制信号控制所述功率输出电路,使得在外部负载通过所述功率输出电路充电或放电时,所述负载电压能够逐渐减小或逐渐增大;所述驱动电路包括第一电压电路,所述功率输出电路包括第一功率管,所述第一电压电路用于控制所述第一功率管导通或关断,外部负载在所述第一功率管导通时经由所述第一功率管放电;

其中,所述第一电压电路控制所述第一功率管在导通时处于米勒平台,所述负载电压在所述第一功率管处于米勒平台期间逐渐减小或逐渐增大。

2.根据权利要求1所述的边沿控制电路,其特征在于,所述第一电压电路输出第一驱动电压到所述第一功率管以控制所述第一功率管的导通或关断以及所述第一功率管处于米勒平台的时间长度,并且,所述第一驱动电压在所述第一功率管进入米勒平台之前的边沿斜率小于所述第一驱动电压在所述第一功率管离开米勒平台后的边沿斜率。

3.根据权利要求2所述的边沿控制电路,其特征在于,所述第一功率管为NMOS晶体管,所述第一功率管的漏极连接到外部负载,所述第一功率管的源极接地,所述第一功率管在处于米勒平台期间,外部负载经由所述第一功率管的漏极和源极放电,所述第一功率管的漏极和源极间存在放电电流。

4.根据权利要求1所述的边沿控制电路,其特征在于,所述第一功率管在米勒平台的停留期间,所述负载电压逐渐减小到第一阈值电压或逐渐增大到第二阈值电压,所述第一阈值电压小于第二阈值电压。

5.根据权利要求4所述的边沿控制电路,其特征在于,所述边沿控制电路还包括输出检测模块,在所述负载电压小于或等于所述第一阈值电压时,所述输出检测模块输出具有第一电平的第一调整信号,所述第一电压电路接收所述第一电平的第一调整信号后控制所述第一功率管离开米勒平台;在所述负载电压大于或等于所述第二阈值电压时,所述输出检测模块输出具有第二电平的第一调制信号,所述第一电压电路接收所述第二电平的第一调制信号后控制所述第一功率管离开米勒平台。

6.根据权利要求4所述的边沿控制电路,其特征在于,所述第一阈值电压大于或等于地电压,所述第二阈值电压小于或等于功率电源电压。

7.根据权利要求5所述的边沿控制电路,其特征在于,所述第一电压电路包括开关控制模块和开关电路,所述开关控制模块连接所述输出检测模块,所述开关电路包括第一开关管、第二开关管、第三开关管和第四开关管,所述第一开关管和所述第三开关管为PMOS场效应晶体管,所述第二开关管和所述第四开关管为NMOS场效应晶体管,所述开关控制模块分别输出第一开关控制电压、第二开关控制电压、第三开关控制电压和第四开关控制电压到所述第一开关管、第二开关管、第三开关管和第四开关管的栅极,电源电压连接所述第一开关管的源极,所述第一开关管的漏极和所述第二开关管的漏极连接,所述第二开关管的源极接地,电源电压连接所述第三开关管的源极,所述第三开关管的漏极和所述第四开关管的漏极连接,所述第四开关管的源极接地,所述第一开关管、第二开关管、第三开关管和第四开关管的栅极分别和所述开关控制模块连接,所述第一开关管的漏极和第二开关管的漏极同时连接到所述第一功率管的栅极,且所述第三开关管的漏极和第四开关管的漏极同时连接到所述第一功率管的栅极。

8.根据权利要求1至7中任意一项所述的边沿控制电路,其特征在于,所述驱动电路包括第二电压电路,所述功率输出电路包括第二功率管,所述第二电压电路控制所述第二功率管在导通时处于米勒平台的时间,功率电源电压通过导通的第二功率管对外部负载充电,使得提供到外部负载的负载电压逐渐增大或逐渐减小。

9.根据权利要求8所述的边沿控制电路,其特征在于,所述第二功率管为PMOS晶体管,所述第二功率管导通时,功率电源电压依次经由所述第二功率管的源极和漏极对外部负载充电。

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