[发明专利]一种VDMOS功率器件用二氧化硅层的制备方法

权利要求书

1.一种VDMOS功率器件用二氧化硅层的制备方法，其特征在于，步骤如下：

第一步、二氧化硅层采用低压工艺生长，生长前需要对所用石英晶舟，碳化硅桨用酸液进行清洗，以清除吸附晶舟卡槽内壁和碳化硅桨表面的附着物，给炉子内的炉管加热，温度设定为750 ℃，通入工艺氮气进行保护，工艺氮气流量设定为12 L/min，通入时间为5min，之后加大工艺氮气流量，流量设定为20 L/min，在高温下对炉管前期沉积的颗粒通过吹扫方式进行去除，吹扫时间设定为10min，之后将工艺氮气流量恢复到12 L/min，将炉管升温速率设为10℃/min，当炉管温度升至750℃后，稳定15min；

第二步、将硅衬底片装在晶舟上，然后将晶舟放置在碳化硅桨上，从炉口将碳化硅桨送入到炉管内，移动速度为20cm/min，10min后硅衬底片放置完毕，硅衬底片参考面位置统一向上；炉口，炉中，炉尾分别放置一片监控片，监控片为N型抛光片，电阻率10~20Ω·cm，晶向100，厚度610~640μm；

第三步、从炉管当前的750℃升到800℃，升温速率为2℃/min，需要25min升至800℃，通入200mL/min的氧气，然后稳定5min，升温至800℃后保持稳定5min，之后恒温800℃保持351min；

第四步、通入气态三氯乙烯作为生长辅助气体，流量设定50mL/min，时间为190min，通入氧气，流量设定9L/min，生长时间为190min，然后进行湿氧化，氧气流量设定900mL/min，氮气停止通入；

第五步、通入氧气，流量设定7L/min，时间151min，通入氢气，流量设定10.5L/min，时间151min，通入三氯乙烯气体，流量设定50mL/min，时间151min，之后只保留氧气，流量设定9L/min，时间10min；

第六步、将温度从800℃降至750℃，降速2℃/min，仅通入工艺氮气进行保护，流量设定12L/min，时间25min；之后进行冷却，时间20min，保持通入氮气，流量设定12L/min，待硅衬底片温度降低至30~50℃后从晶舟上取出，至此整套工艺完成，硅衬底上形成了二氧化硅层，之后测量监控片二氧化硅层的厚度。

2.如权利要求1所述的一种VDMOS功率器件用二氧化硅层的制备方法，其特征在于：所述硅衬底片直径为150 mm，电阻率低于0.02 Ω·cm。

3.如权利要求1所述的一种VDMOS功率器件用二氧化硅层的制备方法，其特征在于：所述二氧化硅层厚度为77~93nm。