[发明专利]半导体器件封装及其制造方法有效
申请号: | 202010848317.6 | 申请日: | 2017-05-25 |
公开(公告)号: | CN111952273B | 公开(公告)日: | 2023-09-05 |
发明(设计)人: | 姚志升;李焕文;李昱志;李威弦 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L23/552;H01L21/48 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 封装 及其 制造 方法 | ||
1.一种用于制造半导体器件封装的方法,其包含:
提供具有顶表面的基板,第一电子部件、第一导电接垫、和第二导电接垫设置在该基板的该顶表面上;
提供第一框架板于该基板上,该第一框架板界定第一空腔且围绕设置在该第一空腔中的该第一电子部件,该第一框架板包含设置在该第一导电接垫上的第一导电柱、设置在该第二导电接垫上的第二导电柱、设置在该第二导电柱上的第三导电柱、及横跨在该第一导电柱和该第二导电柱上设置的第二电子部件,其中该第二电子部件内嵌于该第一框架板中;
提供第二框架板及第三电子部件,该第二框架板于该基板上且界定第二空腔,第三电子部件设置在该基板的该顶表面上,且该第二空腔围绕该第三电子部件;
以包封层包封该第一框架板及该第一电子部件、该第二框架板及该第三电子部件,其中该包封层覆盖该第一框架板的该顶表面及该第二框架板的顶表面,且该包封层填满在该第一框架板及该第二框架板之间的间隙;
研磨该包封层以暴露该第一框架板的该顶表面及该第二框架板的该顶表面;
在该第一框架板、该第二框架板和该包封层上形成导电层,该导电层电连接至该第三导电柱;及
进行单一化以形成该半导体器件封装。
2.根据权利要求1所述的方法,其中研磨该包封层以暴露该第一框架板的该顶表面之操作进一步包含暴露该第三导电柱的顶表面以和该导电层直接接触,且该导电层延伸于该第一框架板及该第二框架板之间的间隙处的该包封层上,且进行单一化的操作包括切割该导电层、该间隙处的该包封层及该基板。
3.根据权利要求1所述的方法,其中该第一导电柱和该第二导电柱内嵌于该第一框架板中,其中该第一导电柱用于电信号传输且该第二导电柱用于接地,其中该第三导电柱直接连接该第二导电柱的顶表面,且该第三导电柱占据该第二导电柱的该顶表面的一部分,该第二电子部件的一端直接接触该第二导电柱的该顶表面而未接触该第三导电柱。
4.根据权利要求2所述的方法,其中该第一框架板进一步包含在该基板的该顶表面上且邻近于该第一框架板的外侧的第三导电接垫、在该第三导电接垫上的第四导电柱及在该第四导电柱上的第五导电柱,其中该导电层、该第二导电柱、第三导电柱和该第二导电接垫形成第一电磁干扰(EMI)屏蔽路径,该第五导电柱自该第四导电柱延伸至该第一框架板的该顶表面且和该导电层直接接触以形成第二EMI屏蔽路径,其中该第二导电柱位于该第一导电柱和该第四导电柱之间,且该第一导电柱和该第二导电柱间的间距大于该第二导电柱和该第四导电柱间的间距,以增强EMI屏蔽能力。
5.一种半导体器件封装,其包含:
基板,其具有顶表面和与该顶表面相对的底表面;
第一电子部件,其在该基板的该顶表面上;
第一导电接垫,其在该基板的该顶表面上;
第二导电接垫,其在该基板的该顶表面上;
第三导电接垫,其在该基板的该顶表面上;
框架板,其围绕该第一电子部件,该框架板包含设置在该第一导电接垫上的第一导电柱、设置在该第二导电接垫上的第二导电柱、设置在该第二导电柱上的第三导电柱、及内嵌于该框架板中的第二电子部件,该第一导电柱和该第二导电柱自该框架板的底表面延伸至该框架板中,该第二电子部件横跨该第一导电柱和该第二导电柱上设置,其中该第一导电柱用于电信号传输,该第二导电柱及该第三导电柱用于接地,其中该第三导电柱直接连接该第二导电柱的顶表面,且该第三导电柱占据该第二导电柱的该顶表面的一部分,该第二电子部件的一端直接接触该第二导电柱的该顶表面而未接触该第三导电柱,且其中该第三导电接垫围绕该第二导电接垫及该
第二电子部件;
包封层,其包封该第一电子部件和该框架板;及
导电层,其在该框架板和该包封层上,该导电层电连接至该第三导电柱。
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