[发明专利]非易失性存储器器件和用于通过施加多个位线偏置电压在非易失性存储器器件中编程的方法

权利要求书

1.一种用于在非易失性存储器器件中编程的方法，包括：

在每一个先前编程循环期间向所述非易失性存储器器件的非易失性存储器单元施加至少一个编程脉冲；

在当前编程循环期间向所述非易失性存储器单元施加至少一个编程脉冲；以及

如果在所有所述先前编程循环和所述当前编程循环中，所述非易失性存储器单元的阈值电压低于所述非易失性存储器单元的目标数据状态的高验证电平，在所述先前编程循环中的至少一个先前编程循环和/或所述当前编程循环中，所述阈值电压高于所述非易失性存储器单元的所述目标数据状态的低验证电平，并且提供第一中间电压的编程循环的数量不大于第一预定数量，则提供所述第一中间电压作为下一编程循环中的位线偏置电压，其中，所述第一中间电压低于第二中间电压，并且其中，所述第一中间电压或所述第二中间电压被提供给具有在所述低验证电平与所述高验证电平之间的阈值电压的非易失性存储器单元作为所述位线偏置电压；或者

如果在所有所述先前编程循环中，所述阈值电压高于所述高验证电平，并且在所述当前编程循环中，所述阈值电压低于所述高验证电平，则提供所述第二中间电压作为所述位线偏置电压。

2.如权利要求1所述的方法，还包括：当具有高于所述高验证电平的阈值电压的非易失性存储器单元的数量已达到第二预定数量时，确定编程是成功的。

3.如权利要求1所述的方法，还包括：如果在执行所述当前编程循环之后，具有高于所述高验证电平的阈值电压的非易失性存储器单元的数量低于第二预定数量，则在所述当前编程循环之后的下一编程循环期间向所述非易失性存储器单元施加至少一个编程脉冲。

4.如权利要求1所述的方法，还包括：在执行第一编程循环之后，根据将所述第一编程循环中的所述非易失性存储器单元的所述阈值电压与所述非易失性存储器单元的所述目标数据状态的所述低验证电平和/或所述高验证电平进行比较的结果，提供第二编程循环中的所述非易失性存储器单元的所述位线偏置电压。

5.如权利要求4所述的方法，其中，在执行所述第一编程循环之后，根据将所述第一编程循环中的所述非易失性存储器单元的所述阈值电压与所述非易失性存储器单元的所述目标数据状态的所述低验证电平和/或所述高验证电平进行比较的所述结果，提供所述第二编程循环中的所述非易失性存储器单元的所述位线偏置电压包括：

如果在执行所述第一编程循环之后，所述阈值电压高于所述非易失性存储器单元的所述目标数据状态的所述高验证电平，则提供系统电压作为所述第二编程循环中的所述位线偏置电压。

6.如权利要求4所述的方法，其中，在执行所述第一编程循环之后，根据将所述第一编程循环中的所述非易失性存储器单元的所述阈值电压与所述非易失性存储器单元的所述目标数据状态的所述低验证电平和/或所述高验证电平进行比较的所述结果，提供所述第二编程循环中的所述非易失性存储器单元的所述位线偏置电压包括：

如果所述阈值电压在所述非易失性存储器单元的所述目标数据状态的所述低验证电平和所述高验证电平之间，则提供第一中间电压作为所述第二编程循环中的所述位线偏置电压。

7.根据权利要求4所述的方法，其中，在执行所述第一编程循环之后，根据将所述第一编程循环中的所述非易失性存储器单元的所述阈值电压与所述非易失性存储器单元的所述目标数据状态的所述低验证电平和/或所述高验证电平进行比较的所述结果，提供所述第二编程循环中的所述非易失性存储器单元的所述位线偏置电压包括：

如果所述阈值电压低于所述非易失性存储器单元的所述目标数据状态的所述低验证电平，则提供低电压作为所述第二编程循环中的所述位线偏置电压。