[发明专利]一种真空镀膜设备多路入气多级整流工艺及气路系统

说明书

本发明提供一种真空镀膜设备多路入气多级整流工艺，即便是面对大面积的基片，其也可以使基片上的镀膜效果一致，可以明显提升整体镀膜均匀性。本发明技术方案中，将整流板分割为N×S个独立气流控制区域，采用离散式的气路控制模式，结合各区域内基材、工艺气体本身的实际条件，通过独立气流控制器独立调节各个独立气流控制区域的气流通入参数；根据工艺气体本身的特征，设置1级或多级整流，对工艺气体进行多级整流、分级扩散，使各区域的镀膜效果区域一致。同时本发明也公开了实现真空镀膜设备多路入气多级整流工艺的气路系统。

技术领域

本发明涉及真空镀膜控制技术领域，具体为一种真空镀膜设备多路入气多级整流工艺及气路系统。

背景技术

真空气相沉积技术在工业生产与科学研究中有广范的应用。真空气相沉积技术是指在初始真空态前提下，对真空态的工艺腔室内通入工艺气体，然后对工艺气体以及镀膜基底施加反应条件，例如温度、电场、辐射、激光等，让工艺气体与沉底发生理化反应，最终在沉底上成膜。然而，如图1所示，目前的真空气相沉积技术的气路体系中，工艺气体由气流控制器件控制，通过输气管道输送到集中气孔，然后经整流板的分流气孔分流为分散气体，在位于镀膜工艺区的镀膜基底上发生工艺反应；但是，现有技术中，因为集中气口到整流板的各个分流气孔的位置距离的不同，工艺气体的浓度、气压，流速等都会存在明显的差异，这会导致发生镀膜效果不均匀的问题；尤其是有大面积镀膜需求的情况下，普遍存在镀膜均匀性差，镀膜面积内工艺一致性低等问题。

发明内容

为了在避免在大面积镀膜工序中，发生的镀膜均匀性差、镀膜面积内工艺一致性低的问题，本发明提供一种真空镀膜设备多路入气多级整流工艺，即便是面对大面积的基片，其也可以使基片上的镀膜效果一致，可以明显提升整体镀膜均匀性。同时本发明也公开了实现真空镀膜设备多路入气多级整流工艺的气路系统。

本发明的技术方案是这样的：一种真空镀膜设备多路入气多级整流工艺，其特征在于，其包括以下步骤：

S1：将镀膜区域水平划分为N×S个镀膜子区域；其中，N≥2，S≥2且S、N皆为正整数；

S2：将整流板分割为与所述镀膜子区域形状大小一一对应的独立气流控制区域；

为每一个所述独立气流控制区域设置一个分离气口，通过区域独立气流管道将工艺气体经所述分离气口导入到所述镀膜子区域；每个所述区域独立气流管道设置独立气流控制器；

S3：分别设置每一个所述独立气流控制器的气流通入参数；

S4：自上而下设置M个整流板；其中，M≥1，且M为正整数；

S5：将基材通过输送装置运输到所述整流板下方的镀膜工艺区；

S6：所述独立气流控制器根据预先设置的所述气流通入参数，将工艺气体分布经所述区域独立气流管道、所述分离气口导入设置了M个所述整流板的多级整流区域；

S7：工艺气体经M个所述整流板进行多级整流后，均匀分流到所述镀膜工艺区，与所述基材发生工艺反应。

其进一步特征在于：

所述镀膜子区域、所述独立气流控制区域的形状包括：矩形、圆型、椭圆形、三角形、平行四边形；

步骤S1中，将镀膜区域分为N×S个镀膜子区域的划分方法，包括：面积等分、面积不等分；

步骤S2中，所述独立气流控制器包括：阀门、流量计；

步骤S3中，每一个所述独立气流控制器的气流通入参数是独立设置的。