[发明专利]一种基材可分离的真空镀膜设备在审
申请号: | 202010848499.7 | 申请日: | 2020-08-21 |
公开(公告)号: | CN112030110A | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 叶飞;刘晓萌 | 申请(专利权)人: | 无锡爱尔华光电科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/22 | 分类号: | C23C14/22;C23C14/50;C23C16/44;C23C16/458;C23C16/455 |
代理公司: | 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 | 代理人: | 顾吉云;黄莹 |
地址: | 214000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基材 可分离 真空镀膜 设备 | ||
本发明提供一种基材可分离的真空镀膜设备,其可以获得更均匀的镀膜效果,确保镀膜面积内工艺性一致。其包括:放置待镀膜基片的基片承载盘,设置在所述基片承载盘下方的加热器,设置于所述基片承载盘上方的电磁场发生装置和工艺气体发生装置,所述基片承载盘与所述电磁场发生装置、所述工艺气体发生装置之间的区域为镀膜工艺区,其特征在于,其还包括托盘外框、升降结构,所述基片承载盘设置于所述托盘外框上端面,所述托盘外框中心部位设置中空的托举口,所述加热器面积小于所述托举口面积;所述升降结构驱动所述加热器,经所述托举口托举放置于所述基片承载盘之上的所述待镀膜基片至所述镀膜工艺区的电磁场稳定区域。
技术领域
本发明涉及真空镀膜技术领域,具体为一种基材可分离的真空镀膜设备。
背景技术
真空气相沉积技术是指,在初始真空态前提下,对真空态的工艺腔室内通入工艺气体,然后对工艺气体以及镀膜衬底施加反应条件,例如温度、电场、辐射、激光等,让工艺气体与沉底发生理化反应,最终在沉底上成膜。真空气相沉积技术在工业生产与科学研究中有广范的应用,尤其在半导体、显示器、光伏、LED照明、环保、高端建材、航空航天、数字通讯、光学产业等等众多产业中发挥着重要,甚至是核心的作用。
然而,目前的真空气相沉积技术中,放置待镀膜基片的基片承载盘经过通过导轨、滚轮或者其它传输装置进入镀膜工艺腔体,然后在工艺腔体中的镀膜区中,在电磁场、加热器的共同作用下,经工艺气体镀膜;然而现有技术中,在进行大面积镀膜时,普遍存在镀膜均匀性差,镀膜面积内工艺一致性低等问题。
发明内容
为了解决现有的真空镀膜技术中存在镀膜均匀性差,镀膜面积内工艺一致性低的问题,本发明提供一种基材可分离的真空镀膜设备,其可以获得更均匀的镀膜效果,确保镀膜面积内工艺性一致。
本发明的技术方案是这样的:一种基材可分离的真空镀膜设备,其包括:放置待镀膜基片的基片承载盘,设置在所述基片承载盘下方的加热器,设置于所述基片承载盘上方的电磁场发生装置和工艺气体发生装置,所述基片承载盘与所述电磁场发生装置、所述工艺气体发生装置之间的区域为镀膜工艺区,其特征在于,其还包括托盘外框、升降结构,所述基片承载盘设置于所述托盘外框上端面,所述托盘外框中心部位设置中空的托举口,所述加热器面积小于所述托举口面积;所述升降结构驱动所述加热器,经所述托举口托举放置于所述基片承载盘之上的所述待镀膜基片至所述镀膜工艺区的电磁场稳定区域。
其进一步特征在于:
所述升降结构包括:丝杆、驱动连接所述丝杆的伺服机构、移动平台,所述移动平台上设置梯形螺帽,所述梯形螺帽与所述丝杆螺纹连接;所述移动平台通过移动支柱连接设置于所述加热器底部的加热器支撑块;
所述电磁场发生装置包括:自上而下依次设置的多层电极板、电极基座,所述多层电极板、所述电极基座通过电极固定组件固定连接;
所述工艺气体发生装置包括:设置于所述电极基座下方的中间布气板、多路布气板,所述多层电极板、所述电极基座、所述中间布气板、所述多路布气板,通过所述电极固定组件固定连接;工艺气体导入口开设在所述多层电极板上,经所述中间布气板、所述多路布气板将工艺气体导入到所述镀膜工艺区。
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