[发明专利]液晶取向剂、液晶取向膜和液晶表示元件在审
申请号: | 202010848793.8 | 申请日: | 2016-02-04 |
公开(公告)号: | CN111944542A | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 若林晓子;后藤耕平;桧森章吾 | 申请(专利权)人: | 日产化学工业株式会社 |
主分类号: | C09K19/56 | 分类号: | C09K19/56;C09K19/54;G02F1/1337;C08G73/10 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 取向 表示 元件 | ||
本发明提供液晶取向剂、液晶取向膜和液晶表示元件。该液晶取向剂含有:(A)成分,选自由以成为二胺成分的5~50摩尔%的量使用具有使液晶垂直取向的侧链的二胺得到的聚酰亚胺前体和作为该聚酰亚胺前体的酰亚胺化物的聚酰亚胺组成的组中的至少1种聚合物;(B)成分,选自由如下聚酰亚胺前体和作为该聚酰亚胺前体的酰亚胺化物的聚酰亚胺组成的组中的至少1种聚合物,所述聚酰亚胺前体是二胺成分与包含10~40摩尔%的选自由下述式(1‑1)、式(1‑3)、式(1‑5)组成的组中的至少1种四羧酸二酐的四羧酸二酐成分的反应产物,其中,(B)成分具有使液晶垂直取向的侧链时,任选为与(A)成分相同的聚合物;和有机溶剂。
本申请是申请日为2016年2月4日、申请号为201680008962.9、发明名称为“液晶取向剂、液晶表示元件和液晶表示元件的制造方法”的申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及在通过对液晶分子照射紫外线而制作的垂直取向方式的液晶表示元件的制造中能够使用的液晶取向剂、液晶取向膜和液晶表示元件。
背景技术
通过电场使相对于基板垂直取向的液晶分子做出响应的方式(也称为垂直取向(VA)方式)的液晶表示元件在其制造过程中,有时包括边对液晶分子施加电压边照射紫外线的工序。
对于这种垂直取向方式的液晶表示元件而言,已知的是,通过预先向液晶组合物中添加光聚合性化合物,并与聚酰亚胺等的垂直取向膜一同使用,边对液晶单元施加电压边照射紫外线,从而得到液晶响应速度快的PSA(Polymer sustained Alignment)元件(参照专利文献1和非专利文献1)。
通常,对电场做出响应的液晶分子的倾斜方向受到基板上设置的突起、表示用电极上设置的狭缝等的控制。据称:向液晶组合物中添加光聚合性化合物,边对液晶单元施加电压边照射紫外线时,会在液晶取向膜上形成记住了液晶分子倾斜方向的聚合物结构物,因此,与仅利用突起、狭缝来控制液晶分子倾斜方向的方法相比,液晶表示元件的响应速度变快。
另一方面,报告了:通过将光聚合性化合物添加至液晶取向膜中而不添加至液晶组合物中,液晶表示元件的响应速度也会变快(SC-PVA型液晶显示器)(参照非专利文献2)。进而,近年来研究了PSA型液晶面板的进一步高速响应化,作为所述技术,尝试了将具有烯基和氟烯基中的任一者以上的单官能性液晶性化合物(以下也称为“烯基系液晶”)导入至液晶组合物中(参照专利文献2~5)。然而,将烯基系液晶导入至液晶组合物时,随着可靠性的降低(参照专利文献6~9),还存在电压保持率、直流电荷蓄积特性(残留DC特性)恶化的倾向。
尤其是,残留DC特性的恶化会导致液晶表示元件的表示特性的恶化(残影)、发生余像。截止至今作为改善残留DC的方法,已知的是:形成羧基与含氮芳香族杂环的盐、氢键之类的通过静电相互作用来促进电荷移动等。但是,现状是使用烯基系液晶时的残留DC改善方法的相关见解较少(专利文献10~12参照)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2003-307720号公报
专利文献2:国际公开第2009/050869号
专利文献3:日本特开2010-285499号公报
专利文献4:日本特开平9-104644号公报
专利文献5:日本特开平6-108053号公报
专利文献6:欧州专利第0 474 062号说明书
专利文献7:美国专利第6,066,268号说明书
专利文献8:日本特开2014-240486号公报
专利文献9:日本特开2014-224260号公报
专利文献10:日本特开平9-316200号公报
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