[发明专利]一种用于真空灭弧室的耐高温主屏蔽筒及其制作方法有效

专利信息
申请号: 202010849113.4 申请日: 2020-08-21
公开(公告)号: CN111785563B 公开(公告)日: 2023-08-22
发明(设计)人: 欧阳飞;周倜 申请(专利权)人: 湖北大禹汉光真空电器有限公司
主分类号: H01H33/662 分类号: H01H33/662;H01H33/664
代理公司: 武汉天领众智专利代理事务所(普通合伙) 42300 代理人: 林琳
地址: 432000 *** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 真空 灭弧室 耐高温 屏蔽 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种用于真空灭弧室的耐高温主屏蔽筒,其特征在于:包括主屏蔽筒(1)和涂层(2),所述涂层(2)原料按重量份比包括:碳化硅10-12份、氧化锆8-10份、氮化硅7-9份、氧化铝4-6份、氧化镁4-6份、助剂10-12份、粘结促进剂8-10份、硅藻土8-10份、消泡剂5-7份、陶瓷微粉12-14份、铜粉8-10份、石墨粉6-8份、导热硅脂6-8份、去离子水25-35份和抗氧化剂5-7份;

该所述主屏蔽筒的制作方法具体包括以下步骤:

S1、主屏蔽筒(1)的预处理工作:在主屏蔽筒(1)制作完成后,对其内壁进行喷砂处理,去除内壁表面的毛刺,再对其内壁进行打磨抛光处理,最终吹去浮沉,使主屏蔽筒(1)内壁保持平整光滑;

S2、混合物料A的制备:将碳化硅、氧化锆、氮化硅、氧化铝、氧化镁以及助剂依次放入球磨机内部,并以200-600rpm转速下搅拌25-35min,混合均匀后,继续在球磨机内部加入硅藻土,再混合搅拌10-15min后,得到混合物料A,等待备用;

S3、混合物料B的制备:将陶瓷微粉、铜粉、石墨粉和导热硅脂依次放入高速分散机内部,在300-500rpm转速下搅拌20-30min,并将分散机内部温度升温至120-150℃后加入消泡剂,再顺时针混合8-10min后,得到混合物料B,等待备用;

S4、涂层(2)的加工制备以及喷涂处理:将S2中混合物料A以及S3中得到的混合物料B均放入反应釜内部,设置内部温度120-150℃,混合反应20-30min后,将内部温度升温至150-180℃,再加入抗氧化剂、去离子水以及粘结促进剂,在250-400rpm转速下反应25-35min,保温1-1.5h,随后将其冷却至常温后,采用喷涂设备均匀喷涂在主屏蔽筒(1)内壁,待主屏蔽筒(1)内壁表面完全覆盖涂层(2)浆料后,取出并晾干,制得耐高温主屏蔽筒(1)的粗制品;

S5、耐高温主屏蔽筒(1)的成品加工:将S4中耐高温主屏蔽筒(1)的粗制品置于烘箱,在500-550℃环境下固化20-40min,然后冷却至室温,即可得到具有耐高温性能的主屏蔽筒(1)成品。

2.根据权利要求1所述的一种用于真空灭弧室的耐高温主屏蔽筒,其特征在于:所述涂层(2)原料包括以下组分:碳化硅10份、氧化锆8份、氮化硅7份、氧化铝4份、氧化镁4份、助剂10份、粘结促进剂8份、硅藻土8份、消泡剂5份、陶瓷微粉12份、铜粉8份、石墨粉6份、导热硅脂6份、去离子水25份和抗氧化剂5份。

3.根据权利要求1所述的一种用于真空灭弧室的耐高温主屏蔽筒,其特征在于:所述涂层(2)原料包括以下组分:碳化硅11份、氧化锆9份、氮化硅8份、氧化铝5份、氧化镁5份、助剂11份、粘结促进剂9份、硅藻土9份、消泡剂6份、陶瓷微粉13份、铜粉9份、石墨粉7份、导热硅脂7份、去离子水30份和抗氧化剂6份。

4.根据权利要求1所述的一种用于真空灭弧室的耐高温主屏蔽筒,其特征在于:所述涂层(2)原料包括以下组分:碳化硅12份、氧化锆10份、氮化硅9份、氧化铝6份、氧化镁6份、助剂12份、粘结促进剂10份、硅藻土10份、消泡剂7份、陶瓷微粉14份、铜粉10份、石墨粉8份、导热硅脂8份、去离子水35份和抗氧化剂7份。

5.根据权利要求1所述的一种用于真空灭弧室的耐高温主屏蔽筒,其特征在于:所述粘结促进剂采用的是3-氨丙基三乙氧基硅烷。

6.根据权利要求1所述的一种用于真空灭弧室的耐高温主屏蔽筒,其特征在于:所述抗氧化剂为抗氧剂1076与抗氧剂168按照1:3的比例混合而成。

7.根据权利要求1所述的一种用于真空灭弧室的耐高温主屏蔽筒,其特征在于:所述氧化镁是镁的氧化物,一种离子化合物。

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