[发明专利]一种基于RCLED的传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种基于RCLED的传感器，其特征在于，包括谐振腔发光二极管，所述谐振腔发光二极管表面设有微纳米结构阵列；

所述谐振腔发光二极管包括衬底以及设在所述衬底上方的谐振腔与半导体外延层，所述半导体外延层设于所述谐振腔内；

所述微纳米结构阵列包括介质层以及设于所述介质层上的金属孔阵列，介质层为图形化的介质层，其形状同金属孔阵列相同；

所述微纳米结构阵列的阵列周期为300~800nm，所述金属孔阵列中的金属孔的半径为60~300nm，所述微纳米结构阵列的金属厚度为20~160 nm；

所述谐振腔由两块上下对应设置的反射镜组成，其中，相对所述衬底较近的所述反射镜的反射率大于相对所述衬底较远的所述反射镜的反射率，反射镜的反射率通过设置反射镜折射率材料的堆叠层数来进行限定。

2.根据权利要求1所述的基于RCLED的传感器，其特征在于，还包括第一金属层，所述半导体外延层由下至上依次设有n型导电层、有源区与p型导电层，所述第一金属层与所述n型导电层之间欧姆接触，所述p型导电层上设有第二金属层，所述第二金属层与所述p型导电层之间欧姆接触。

3.根据权利要求1所述的基于RCLED的传感器，其特征在于，所述反射镜采用金属反射镜和分布式拉格反射镜中的一种或两种。

4.根据权利要求1所述的基于RCLED的传感器，其特征在于，所述介质层采用氮化硅、氧化硅或ITO。

5.根据权利要求2所述的基于RCLED的传感器，其特征在于，所述第一金属层与所述第二金属层均采用金、银、铝、铜、铂、钯和镁之一。

6.一种基于RCLED的传感器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

S101：在衬底上形成谐振腔，所述谐振腔由两块上下对应设置的反射镜组成，其中，相对所述衬底较近的所述反射镜的反射率大于相对所述衬底较远的所述反射镜的反射率，反射镜的反射率通过设置反射镜折射率材料的堆叠层数来进行限定；

S102：在所述谐振腔内形成半导体外延层，具体为所述谐振腔内由下至上依次形成n型导电层、有源区与p型导电层；

S103：在所述衬底或所述n型导电层上形成第一金属层，所述第一金属层与所述n型导电层之间导电；

S104：在所述p型导电层上形成第二金属层，所述第二金属层与所述p型导电层之间欧姆接触；

S105：在所述谐振腔上形成微纳米结构阵列，所述微纳米结构阵列包括介质层与设置在所述介质层上的金属孔阵列，介质层为图形化的介质层，其形状同金属孔阵列相同；

所述步骤S105中的所述微纳米结构阵列采用电子束光刻工艺或聚焦离子束刻蚀工艺制成，所述微纳米结构阵列的阵列周期为300~800nm，所述金属孔阵列中的金属孔的半径为60~300nm，所述微纳米结构阵列的金属厚度为20~160 nm。