[发明专利]形成封装结构的方法

说明书

提供了一种形成封装结构的方法。形成封装结构的方法包括经由多个第一连接器将封装构件接合到基板的第一表面。封装构件包括中介层、在中介层上方的第一半导体晶粒以及第二半导体晶粒。形成封装结构的方法还包括在基板的第一表面上方形成阻挡结构。阻挡结构在封装构件周围并且与封装构件分离。形成封装结构的方法还包括在阻挡结构与封装构件之间形成底部填充层，以及在形成底部填充层之后去除阻挡结构。

技术领域

本公开实施例涉及一种形成封装结构的方法，特别涉及一种封装结构。

背景技术

半导体装置被使用于各种电子应用中，像是个人电脑、移动电话、数码相机以及其他电子设备。通过依序在半导体基板上方沉积绝缘层或介电层、导电层以及半导体层，并使用微影以及蚀刻工艺将各种材料层图案化，以在半导体基板上形成电路构件以及元件，而制造半导体装置。

半导体产业通过不断减小最小特征尺寸来持续改善各种电子构件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许将更多的构件整合到给定区域中。在一些应用中，这些较小的电子构件也使用利用较小的区域或较低的高度的较小的封装。

目前已经开发了新的封装技术以进一步改善半导体晶粒的密度以及功能。例如，已经开发了三维集成电路(three-dimensional integrated circuit,3D-IC)封装。这些用于半导体晶粒的相对新类型的封装技术面临制造上的挑战，并且它们并非在所有方面完全令人满意。

发明内容

根据本公开的一些实施例，提供一种形成封装结构的方法，包括经由多个第一连接器将封装构件接合到基板的第一表面，其中封装构件包括中介层、位在中介层上方的第一半导体晶粒以及第二半导体晶粒，位在基板的第一表面上方形成阻挡结构，其中阻挡结构位在封装构件周围并且与封装构件分离，在阻挡结构与封装构件之间形成底部填充层，以及在形成底部填充层之后去除阻挡结构。

根据本公开的一些实施例，提供一种形成封装结构的方法，包括经由多个连接器将封装构件接合到基板，其中封装构件包括中介层、多个半导体晶粒、以及模制化合物层。多个半导体晶粒位在中介层上方。模制化合物层位在中介层上方并且横向地围绕半导体晶粒。在基板上方形成阻挡结构，其中封装构件的每个角落被阻挡结构围绕，形成围绕连接器并且与阻挡结构直接接触的底部填充层，以及在形成底部填充层之后去除阻挡结构。

根据本公开的一些实施例，提供一种封装结构，包括封装构件以及底部填充层，封装构件经由多个第一连接器接合到基板的第一表面，其中封装构件包括中介层、位在中介层上方的第一半导体晶粒以及第二半导体晶粒。底部填充层横向地围绕第一连接器，其中底部填充层的延伸部分从封装构件的边缘横向地突出，并且延伸部分的最大高度与延伸部分的最底表面的第一宽度的比值大于或等于大约0.8。

附图说明

从以下的详细描述并阅读说明书附图以最佳理解本公开的各方面。应注意的是，不同特征并未一定按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小不同特征的大小及几何尺寸，以做清楚的说明。

图1A至图1F是根据本公开的一些实施例的形成封装结构的工艺的各个阶段的剖面图。

图2是根据本公开的一些实施例的封装结构的剖面图。

图3A至图3C是根据本公开的一些实施例的形成封装结构的工艺的各个阶段的剖面图。

图4是根据本公开的一些实施例的封装结构的剖面图。

图5A至图5C是根据本公开的一些实施例的形成封装结构的工艺的各个阶段的剖面图。

图6是根据本公开的一些实施例的封装结构的剖面图。

图7是根据本公开的一些实施例的形成封装结构的工艺的阶段的剖面图。