[发明专利]显影处理方法和显影处理装置在审
申请号: | 202010849612.3 | 申请日: | 2020-08-21 |
公开(公告)号: | CN112445086A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 甲斐亚希子;一之宫博 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | G03F7/30 | 分类号: | G03F7/30;G03F7/42 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显影 处理 方法 装置 | ||
涉及显影处理方法和显影处理装置。降低形成对水的接触角大的抗蚀膜时的缺陷数。显影处理方法对基板上的抗蚀膜进行显影处理,包括:工序(A),向前述基板供给显影液以使前述抗蚀膜进行显影,形成抗蚀图案;工序(B),向显影后的前述基板供给水系清洗液,用该水系清洗液对该基板进行清洗;工序(C),在用前述水系清洗液清洗了的前述基板上涂布水溶性聚合物的水溶液,在前述基板表面形成具有亲水性的亲水性层;和,工序(D),对形成有前述亲水性层的基板用冲洗液进行清洗,前述工序(B)包括使前述基板的转速加速的工序(a)和在前述工序(a)后直至前述工序(C)开始之间使前述基板的转速减速的工序(b),前述工序(b)中的减速度小于前述工序(a)中的加速度。
技术领域
本公开涉及显影处理方法和显影处理装置。
背景技术
专利文献1中,为了防止形成线/空间的抗蚀图案时产生图案倒塌,公开了如下方案:在抗蚀图案显影时的冲洗工序中使用2种以上的冲洗液。专利文献1公开的方法中,在冲洗工序的前半工序所使用的冲洗液中,暴露受到显影液的处理的抗蚀剂表面,促进该抗蚀剂表面的改质,调整后半工序中使用的冲洗液与该抗蚀剂表面的接触角至期望的角度。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平5-29936号公报
发明内容
本公开的技术可以降低在形成对冲洗液的接触角大的抗蚀膜时的缺陷数。
本公开的一方案为一种显影处理方法,其为对基板上的抗蚀膜进行显影处理的显影处理方法,其包括如下工序:工序(A),向前述基板供给显影液以使前述抗蚀膜进行显影,形成抗蚀图案;工序(B),向显影后的前述基板供给水系清洗液,用该水系清洗液对该基板进行清洗;工序(C),在用前述水系清洗液清洗了的前述基板上涂布水溶性聚合物的水溶液,在前述基板的表面形成具有亲水性的亲水性层;和,工序(D),对形成有前述亲水性层的基板用冲洗液进行清洗,前述(B)工序包括如下工序:工序(a),使前述基板的转速加速;和,工序(b),在前述(a)工序后,直至前述(C)工序开始为止的期间,使前述基板的转速减速,前述(b)工序中的减速度小于前述(a)工序中的加速度。
根据本公开,可以降低在形成对冲洗液的接触角大的抗蚀膜时的缺陷数。
附图说明
图1为示出第1实施方式的显影处理装置的构成的概要的纵剖视图。
图2为示出第1实施方式的显影处理装置的构成的概要的横剖视图。
图3为示出图1的显影处理装置中的显影处理的一例的流程图。
图4为示出清洗工序以及其之后的显影处理中的各时刻点的晶圆转速的图。
图5为示出显影处理时的晶圆的样子的部分放大剖视图。
图6为示出显影处理的后述干燥工序中的晶圆的样子的剖视图。
图7为用于说明第1实施方式的效果的图。
图8为示出第2实施方式的显影处理装置的构成的概要的横剖视图。
图9为示出图8的显影处理装置的显影处理中的、清洗工序以及其之后的各时刻点的晶圆转速的图。
1、1a 显影处理装置
20 旋转卡盘
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