[发明专利]Nor flash擦除干扰纠正方法及装置

说明书

本发明提供一种Nor flash擦除干扰纠正方法和装置。包括：在闪存芯片的上电信号处于上电复位信号的情况下，在M次对物理存储阵列中的非易失闪存Nor flash阵列块进行块擦除操作时，对所有Nor flash阵列块进行擦除干扰确认与纠正。在剩余的N‑M次对物理存储阵列中的非易失闪存Nor flash阵列块进行块擦除操作时，对选中的物理存储阵列中的Nor flash阵列块进行擦除干扰确认与纠正。在本方案中，对所有Nor flash阵列块进行至少M次擦除干扰确认与纠正，在剩余的N‑M次中，每一次都对选中的Nor flash阵列块进行干扰确认与纠正。以减少整体擦除操作的耗时和功耗，且能够避免存储的数据被改写。

技术领域

本发明涉及闪存技术领域，尤其涉及一种非易失闪存(Nor flash)擦除干扰纠正方法及装置。

背景技术

随着便携式电子产品的快速发展，特别是在工艺特征尺寸小于65nnm以后，浮栅型闪存芯片存储区域为了节约芯片面积，一般都采用物理集中放置，构成一个物理存储矩阵，在逻辑上，每个物理存储矩阵被分成多个基于浮栅技术构建的Nor flash阵列块。由于，不同的Nor flash阵列块位于相同的P型衬底(PWELL)，在对同一个物理存储阵列中的一个Norflash阵列块进行擦除操作时，因为，这个Nor flash阵列块和周围的Nor flash阵列块漏区，源区和P阱是相连的，同一物理存储阵列中的剩余Nor flash阵列块会被漏端电压干扰和P阱电压干扰。

为避免上述影响，现有在对一个Nor flash阵列块执行擦除操作时，会利用擦除干扰纠正算法，检测同一物理存储阵列中没有被选中擦除的Nor flash阵列块中所有存储单元，判断每个存储数据“0”的存储单元是否被干扰，如果被干扰，则通过编程刷新进行干扰纠正。

目前常采用现有技术的擦除干扰纠正方式进行擦除干扰确认和纠正，一种是，对同一物理存储阵列中的所有未被选中擦除的Nor flash阵列块中每个存储单元都要进行干扰检测确认和纠正。由于在擦除干扰确认和纠正上会消耗很长时间，远远超过Nor flash阵列块擦除流程中其它操作过程所消耗时间的总和。因此通过上述方式不仅增加了整体擦除操作的耗时，还增加了整体擦除操作的功耗。另一种是，通过设置随机数产生电路模块，以产生随机数种子；在擦除干扰确认和纠正过程中，以随机数种子作为地址选择物理存储阵列中某一个逻辑存储块，并进行擦除干扰确认和纠正。由于随机数产生电路模块随机数种子易出现不随机的情况，从而导致物理阵列中存储的数据容易被改写。

综上所述，现有的Nor flash擦除干扰和纠正方式，存在整体擦除操作的耗时长，整体擦除操作的功耗大，且物理阵列中背景数据容易被改写的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种Nor flash擦除干扰纠正方法和装置，以解决现有技术中整体擦除操作的耗时长，整体擦除操作的功耗大，且物理阵列中存储的数据容易被改写的问题。

为实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：

本发明实施例第一方面公开了一种Nor flash擦除干扰纠正方法，所述方法包括：

在闪存芯片的上电信号处于上电复位信号的情况下，在M次对物理存储阵列中的非易失闪存Nor flash阵列块进行块擦除操作时，对所有Nor flash阵列块进行擦除干扰确认与纠正，其中，M的取值为大于等于1，小于N的正整数，N的取值为大于2的正整数；

在剩余的N-M次对物理存储阵列中的非易失闪存Nor flash阵列块进行块擦除操作时，对选中的物理存储阵列中的Nor flash阵列块进行擦除干扰确认与纠正。

可选的，所述在M次对物理存储阵列中的非易失闪存Nor flash阵列块进行块擦除操作时，对所有Nor flash阵列块进行擦除干扰确认与纠正，包括：