[发明专利]等离子体处理系统和等离子体点火辅助方法在审
申请号: | 202010849988.4 | 申请日: | 2020-08-21 |
公开(公告)号: | CN112447479A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 北邨友志 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 处理 系统 点火 辅助 方法 | ||
本发明提供一种等离子体处理系统和等离子体点火辅助方法。等离子体处理系统的控制装置执行收集工序、第一确定工序、第二确定工序以及点火工序。在收集工序中,关于同电力供给部与等离子体之间的阻抗的匹配有关的各个可调节的变量的值,收集表示阻抗的匹配状态的测定值。在第一确定工序中,确定相对于从与各个变量对应的点到匹配点的向量的、测定值的变化的斜率最大的变量的值所对应的通过点,所述匹配点为与阻抗最匹配的状态下的测定值对应的点。在第二确定工序中,将包括通过点和匹配点的直线上的比通过点更远离匹配点的点确定为控制的开始点。在点火工序中,从开始点沿直线向匹配点控制各个变量,由此在等离子体处理装置内使等离子体点火。
技术领域
本公开涉及一种等离子体处理系统和等离子体点火辅助方法。
背景技术
在近年来的半导体的制造工艺中,使用利用等离子体来加工基板的等离子体处理装置。在等离子体处理装置中,向处理容器内供给处理气体,以将处理容器内调节为规定的压力。而且,通过向处理容器内供给高频电力,来进行处理气体的等离子体化,通过等离子体对处理容器内收容的基板实施蚀刻等等离子体处理。
专利文献1:日本特开2010-153274号公报
发明内容
本公开提供一种能够使等离子体稳定地点火的等离子体处理系统和等离子体点火辅助方法。
本公开的一个方式的等离子体处理系统具备等离子体处理装置和控制装置。等离子体处理装置具有收容基板的处理容器,通过在处理容器内生成等离子体来对基板实施等离子体处理。控制装置控制等离子体处理装置。另外,控制装置执行收集工序、第一确定工序、第二确定工序以及点火工序。在收集工序中,关于同向等离子体供给高频电力的电力供给部与等离子体之间的阻抗的匹配有关的可调节的变量的各变量的值,收集表示电力供给部与等离子体之间的阻抗的匹配状态的测定值。在第一确定工序中,将相对于从与各个变量对应的点到匹配点的向量的、测定值的变化的斜率最大的变量的值所对应的点确定为通过点,所述匹配点为与阻抗最匹配的状态下的所述测定值对应的点。在第二确定工序中,将包括通过点和匹配点的直线上的比通过点更远离匹配点的点确定为控制的开始点。在点火工序中,控制各个变量,以使测定值从开始点沿直线向匹配点变化,由此在等离子体处理装置内使等离子体点火。
根据本公开的各种方面和实施方式,能够使等离子体稳定地点火。
附图说明
图1是表示本公开的一个实施方式的等离子体处理系统的一例的图。
图2是表示匹配器的结构的一例的图。
图3是表示控制变量与等离子体的发光强度的关系的一例的图。
图4是表示变量的调节方法的一例的图。
图5是表示变量的调节方法的一例的图。
图6是用于说明控制方向的决定方法的一例的图。
图7是表示反射波的电力的变化的一例的图。
图8是用于说明限制点和限制线的一例的图。
图9是用于说明执行工艺时的对控制变量的控制的一例的图。
图10是表示数据收集处理的一例的流程图。
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