[发明专利]一种防反接防倒灌充电保护电路

权利要求书

1.一种防反接防倒灌充电保护电路，其特征在于：包括控制模块、防倒灌模块和反接检测模块，所述控制模块包括第一电控开关和第二电控开关，所述第一电控开关和第二电控开关串联在充电回路中并位于充电输入正极端和充电输出正极端之间；所述防倒灌模块包括电压比较电路，该电压比较电路采集和比较充电输入正极端和充电输入负极端之间的电压及充电输出正极端和充电输出负极端之间的电压，所述电压比较电路的控制端与所述第一电控开关和第二电控开关的控制端电连接；所述反接检测模块的采集端与充电输出正极端电连接，所述反接检测模块的控制端与所述第一电控开关和第二电控开关的控制端电连接。

2.根据权利要求1所述的一种防反接防倒灌充电保护电路，其特征在于：所述第一电控开关和第二电控开关均为低导通电阻的PMOS管。

3.根据权利要求2所述的一种防反接防倒灌充电保护电路，其特征在于：所述第一电控开关为MOS管Q1，所述第二电控开关为MOS管Q2，所述MOS管Q1的D极与充电输入正极端电连接，所述MOS管Q1的S极和G极一一对应与所述MOS管Q2的S极和G极电连接，在所述MOS管Q1的G极和MOS管Q2的G极之间串联有电阻R1和电阻R2，在所述MOS管Q1和MOS管Q2的S极的公共端与所述电阻R1和电阻R2的公共端之间并联有电阻R3，所述MOS管Q2的D极与充电输出正极端电连接；所述充电输入负极端与充电输出负极端电连接；所述MOS管Q1和MOS管Q2中寄生二极管的正向电流方向均从其漏极至源极；

所述控制模块包括光耦合器U2，所述光耦合器U2中发射端的正极经电阻R5后与所述MOS管Q1和MOS管Q2的公共端电连接，所述光耦合器U2中发射端的负极与所述充电输出负极端电连接；所述光耦合器U2中接收端的正极与所述电阻R1和电阻R2的公共端电连接。

4.根据权利要求3所述的一种防反接防倒灌充电保护电路，其特征在于：所述电压比较电路包括电压比较器U1、电阻R6、电阻R7、电阻R8和电阻R9，所述电阻R6和电阻R8的电阻比和电阻R7和电阻R9的电阻比相同，所述电阻R6和电阻R8依次串联后并联在充电输入正极端和充电输入负极端之间，所述电阻R6和电阻R8的公共端与所述电压比较器U1同相输入端电连接；所述电阻R7和电阻R9依次串联后并联在所述充电输出正极端和充电输出负极端之间，所述电阻R7和电阻R9的公共端与所述电压比较器U1反相输入端电连接；所述电压比较器U1的输出端与二极管D1的负极电连接，所述二极管D1的正极与所述光耦合器U2中发射端的正极电连接。

5.根据权利要求4所述的一种防反接防倒灌充电保护电路，其特征在于：所述反接检测模块包括光耦合器U3，所述光耦合器U3中接收端的正极与所述光耦合器U2中发射端的正极电连接，所述光耦合器U3中接收端的负极与所述光耦合器U2中发射端的负极电连接，所述光耦合器U3中发射极的正极与所述充电输出负极端电连接，所述光耦合器U3中发射极的负极与所述充电输出正极端电连接。