[发明专利]太阳能电池片、叠瓦组件和制造方法在审
申请号: | 202010850831.3 | 申请日: | 2020-08-21 |
公开(公告)号: | CN111916508A | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | 尹丙伟;肖俊峰;孙俊;李岩;石刚;谢毅;刘汉元 | 申请(专利权)人: | 成都晔凡科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/042;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 刘迎春;张宁潇 |
地址: | 610041 四川省成都市高新区*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 组件 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池片,其特征在于,太阳能电池片包括:
基体片,基体片具有两个纵向边缘和两个横向边缘;
多个副栅线,多个副栅线设置在基体片的表面上,多个副栅线包括:
多个第一副栅线,每一个第一副栅线沿横向方向从基体片的两个纵向边缘中的一个纵向边缘延伸到另一个纵向边缘;
多个第二副栅线,每一个第二副栅线沿纵向方向从基体片的两个横向边缘中的一个横向边缘延伸到另一个横向边缘,
其中,多个第一副栅线和多个第二副栅线在基体片的同一表面上交叉设置从而形成网格结构;
两个主栅线,两个主栅线分别设置在基体片的顶表面和底表面上并分别沿两个纵向边缘延伸。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池片,其特征在于,多个第一副栅线包括多个普通第一副栅线和多个加宽第一副栅线,加宽第一副栅线的宽度为普通第一副栅线的宽度的1.2倍-10倍,多个加宽第一副栅线间隔设置,并且任意相邻的两个加宽第一副栅线之间隔着1-50个普通第一副栅线;并且/或者
多个第二副栅线包括多个普通第二副栅线和多个加宽第二副栅线,加宽第二副栅线的宽度为普通第二副栅线的宽度的1.2倍-10倍,多个加宽第二副栅线间隔设置,并且任意相邻的两个加宽第二副栅线之间隔着1-50个普通第二副栅线。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池片,其特征在于,多个副栅线中的至少部分副栅线在其各自的延伸方向上具有渐变的宽度;并且/或者两个主栅线中的至少一个主栅线在其延伸方向上具有渐变的宽度。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池片,其特征在于,两个主栅线中的至少一个主栅线为多段式栅线,多段式栅线在其延伸方向上具有依次相连的多个部段,各个部段之间具有不同的宽度;并且/或者,多个副栅线中的至少部分副栅线为多段式栅线,多段式栅线在其延伸方向上具有依次相连的多个部段,各个部段之间具有不同的宽度。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池片,其特征在于,第一副栅线和第二副栅线的相交区域中的部分相交区域设置有点状导电结构,点状导电结构的纵向尺寸大于第二副栅线的宽度,点状导电结构的横向尺寸大于第一副栅线的宽度。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池片,其特征在于,基体片具有PN结、隧穿结、异质结中的至少一种半导体结,其中太阳能电池片被构造为满足如下至少一者:
第一副栅线为烧穿PN结、隧穿结或异质结表面的钝化结构层并与PN结、隧穿结或异质结形成导电接触的连续的或者间断的栅线结构;
第二副栅线为烧穿PN结、隧穿结或异质结表面的钝化结构层并与PN结、隧穿结或异质结形成导电接触的连续的或者间断的栅线结构;
设置在基体片的顶表面的主栅线为烧穿PN结、隧穿结或异质结表面的钝化结构层并与PN结、隧穿结或异质结形成导电接触的连续的或者间断的栅线结构。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池片,其特征在于,基体片具有PN结、隧穿结、异质结中的至少一种半导体结,其中太阳能电池片被构造为满足如下至少一者:
第一副栅线为不烧穿基体片的PN结、隧穿结或异质结表面的钝化结构层的连续的或者间断的栅线结构;
第二副栅线为不烧穿基体片的PN结、隧穿结或异质结表面的钝化结构层的连续的或者间断的栅线结构;
设置在基体片的顶表面的主栅线为不烧穿基体片的PN结、隧穿结或异质结表面的钝化结构层的连续的或者间断的栅线结构。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池片,其特征在于,每一个第一副栅线沿横向方向从基体片的两个纵向边缘中的一个纵向边缘连续地延伸到另一个纵向边缘;每一个第二副栅线沿纵向方向从基体片的两个横向边缘中的一个横向边缘连续地延伸到另一个横向边缘。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池片,其特征在于,基体片的纵向边缘和横向边缘的交界位置处具有倒角,主栅线连接在对应的两个倒角之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都晔凡科技有限公司,未经成都晔凡科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010850831.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:试题知识点的提取方法
- 下一篇:一种水利管道内部清理装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的