[发明专利]蓝光电致发光器件、显示面板及显示装置在审
申请号: | 202010850867.1 | 申请日: | 2020-08-21 |
公开(公告)号: | CN111916574A | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | 刘杨;邱丽霞;陈创 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 戴冬瑾 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电致发光 器件 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种蓝光电致发光器件,其特征在于,包括:
依次层叠的阳极、发光层以及阴极,
其中,所述发光层包括第一类型主体材料、第二类型主体材料以及客体掺杂材料,所述第一类型主体材料和所述第二类型主体材料中的一个为P型材料,另一个为N型材料。
2.根据权利要求1所述的蓝光电致发光器件,其特征在于,所述N型材料的最低未占轨道能级不小于2.1eV,并且不大于3.3eV;所述P型材料的最高已占轨道能级不小于5.5eV,并且不大于6.5eV;所述P型材料的最高已占轨道能级与所述N型材料的最低未占轨道能级的差值不小于2.6eV。
3.根据权利要求1所述的蓝光电致发光器件,其特征在于,所述P型材料与所述N型材料的摩尔比为1:4~4:1。
4.根据权利要求1所述的蓝光电致发光器件,其特征在于,所述P型材料的空穴迁移率为10-8至10-4cm2/(V·s),所述N型材料的电子迁移率为10-8至10-4cm2/(V·s)。
5.根据权利要求1所述的蓝光电致发光器件,其特征在于,所述P型材料包括
的至少之一。
6.根据权利要求1所述的蓝光电致发光器件,其特征在于,所述N型材料包括
的至少之一。
7.根据权利要求1所述的蓝光电致发光器件,其特征在于,所述阴极由Mg和Ag构成,所述Mg和Ag的摩尔比为1:9~9:1,所述阴极的厚度为10~100nm。
8.根据权利要求1-7任一项所述的蓝光电致发光器件,其特征在于,进一步包括:空穴传输层,所述空穴传输层设置在所述阳极和所述发光层之间;
空穴注入层,所述空穴注入层设置在所述阳极和所述空穴传输层之间;
电子阻挡层,所述电子阻挡层设置在所述空穴传输层和所述发光层之间;
电子传输层,所述电子传输层设置在所述阴极和所述发光层之间;
电子注入层,所述电子注入层设置在所述阴极和所述电子传输层之间;以及
空穴阻挡层,所述空穴阻挡层设置在所述电子传输层和所述发光层之间。
9.根据权利要求8所述的蓝光电致发光器件,其特征在于,所述P型材料的最高已占轨道能级的绝对值与所述电子阻挡层的最高已占轨道能级的绝对值的差值不大于0.3eV;
所述空穴阻挡层的最低未占轨道能级的绝对值与所述N型材料的最低未占轨道能级的绝对值的差值不大于0.3eV。
10.根据权利要求8所述的蓝光电致发光器件,其特征在于,所述空穴注入层的厚度为8~12nm,所述空穴传输层的厚度为100~120nm,所述电子阻挡层的厚度为3~7nm,所述发光层的厚度为15~25nm,所述空穴阻挡层的厚度为3~7nm,所述电子传输层的厚度为25~35nm,所述电子注入层的厚度为1~2nm。
11.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1~10任一项所述的蓝光电致发光器件。
12.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求11所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择