[发明专利]一种叠层电池及其制作方法

权利要求书

1.一种叠层电池的制作方法，其特征在于，包括：

提供一底电池，所述底电池具有绒面；

采用真空共沉积工艺在所述绒面的上方共沉积金属硫化物空穴传输材料和无机铅化合物形成空穴传输层；所述金属硫化物的带隙不小于1.6eV，所述无机铅化合物为氯化铅、溴化铅、碘化铅、氧化铅、硫氰化铅、醋酸铅中的一种或多种；

在所述空穴传输层上真空沉积形成锚定层，所述锚定层含有的材料为金属卤化物；所述金属卤化物至少包括卤化铅；

采用溶液法在所述锚定层涂布阳离子盐；所述锚定层含有的材料与所述阳离子盐反应形成钙钛矿吸收层；其中，所述钙钛矿吸收层和空穴传输层均含有铅离子，使得在空穴传输层上形成钙钛矿吸收层时，所述空穴传输层充当诱导层，诱导所述钙钛矿吸收层材料结晶生长；

在所述钙钛矿吸收层上制作电子传输层；

在所述电子传输层上制作电极。

2.根据权利要求1所述的叠层电池的制作方法，所述金属卤化物还包括卤化锡、碱金属卤化物中的一种或两种。

3.根据权利要求1或2所述的叠层电池的制作方法，其特征在于，所述采用真空共沉积工艺在所述绒面的上方共沉积金属硫化物和无机铅化合物构成空穴传输层包括：在所述绒面上方采用真空热蒸发的工艺共沉积金属硫化物和无机铅化合物，得到空穴传输层；所述金属硫化物和无机铅化合物的真空热蒸发速率为

4.根据权利要求2所述的叠层电池的制作方法，其特征在于，所述在所述空穴传输层上方真空沉积形成锚定层包括：在空穴传输层上采用真空蒸镀的方式共沉积金属卤化物，得到锚定层；所述碱金属卤化物的真空蒸镀速率为所述卤化铅和卤化锡的真空蒸镀速率为

5.根据权利要求1或2所述的叠层电池的制作方法，其特征在于，所述采用溶液法在所述锚定层涂布阳离子盐包括：采用溶液法在所述锚定层上涂布阳离子盐溶液，使得所述锚定层含有的金属卤化物与所述阳离子盐反应形成钙钛矿吸收层；和/或，

所述采用溶液法在所述锚定层形成阳离子盐后，所述在所述钙钛矿吸收层上制作电子传输层前，所述叠层电池的制作方法还包括：对所述钙钛矿吸收层进行退火处理；所述退火处理的温度为50℃-200℃，所述退火处理的时间为5分钟-60分钟。

6.根据权利要求1或2所述的叠层电池的制作方法，其特征在于，所述在所述钙钛矿吸收层上制作电子传输层前，所述叠层电池的制作方法还包括：在所述钙钛矿吸收层上形成电子传输界面层；所述电子传输界面层包括LiF层和C₆₀层；所述LiF层形成在所述钙钛矿吸收层上，所述C₆₀层形成在所述LiF层上；其中，所述LiF层的厚度为0.1nm-10nm，所述C₆₀层的厚度为1nm-20nm；

和/或，

所述在所述绒面的上方形成所述空穴传输层前，所述叠层电池的制作方法还包括：在所述绒面的上方形成隧穿复合层。

7.一种叠层电池，其通过权利要求1-6任一项所述制作方法形成，包括：

底电池，所述底电池具有绒面；

形成在所述绒面上方的空穴传输层，所述空穴传输层通过真空共沉积金属硫化物空穴传输材料和无机铅化合物形成，所述金属硫化物的带隙不小于1.6eV，所述无机铅化合物为氯化铅、溴化铅、碘化铅、氧化铅、硫氰化铅、醋酸铅中的一种或多种；其中，所述金属硫化物和无机铅化合物均匀的沉积在所述底电池的所述绒面上，使得所述绒面的陷光效应得以保留；

形成在所述空穴传输层上的钙钛矿吸收层，所述钙钛矿吸收层含有铅离子。

8.根据权利要求7所述的叠层电池，所述金属硫化物和无机铅化合物的物质的量比为1：(0.01～0.5)。

9.根据权利要求7所述的叠层电池，其特征在于，所述金属硫化物包括硫化锰、硫化锌、硫化镍、二硫化钛、二硫化钼、硫化镁、硫化铜、三硫化二镓、一硫化镓、硫化锗、一硫化锗、三硫化二砷、二硫化锡、二硫化钨、硫化铅的一种或多种。