[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置

说明书

本公开的实施例公开了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可防止有源层过刻，减少工艺次数和制作成本。阵列基板包括衬底基板、遮光图案、缓冲图案、有源层、栅绝缘层、第一钝化层和源漏极。缓冲图案在衬底基板的正投影覆盖有源层在衬底基板的正投影。缓冲图案在衬底基板的正投影处于遮光图案在衬底基板的正投影范围之内，且缓冲图案在衬底基板的正投影的面积小于遮光图案在衬底基板的正投影的面积。栅绝缘层和第一钝化层中设置有第一过孔、第二过孔和第三过孔。源漏极中一者通过第一过孔与有源层耦接，另一者通过第二过孔与有源层耦接，通过第三过孔与遮光图案耦接。上述阵列基板应用于显示装置中，以使显示装置显示画面。

技术领域

本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

目前，随着液晶显示技术的发展，金属氧化物薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，简称TFT)，例如，铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，简称IGZO))薄膜晶体管，具有高的载流子迁移率，逐渐受到人们的关注。

在相关技术中，采用构图工艺形成金属氧化物薄膜晶体管的多个膜层。构图工艺的工艺步骤较复杂，成本较高，因此如何减少构图工艺的次数，以降低工艺成本和材料成本，提高金属氧化物薄膜晶体管的产能，是目前领域内研究的主要问题之一。

发明内容

本公开的一些实施例的目的在于提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，可通过一次构图工艺形成用于连接源极(或漏极)与有源层的过孔，和用于连接源极(或漏极)与遮光图案的过孔，减少了构图工艺的次数，并且可改善对有源层过刻蚀的问题。

为达到上述目的，本公开的一些实施例提供了如下技术方案：

第一方面，提供了一种阵列基板。所述阵列基板包括：衬底基板，依次层叠设置于所述衬底基板上的遮光图案、缓冲图案、有源层、栅绝缘层和第一钝化层，以及设置于所述第一钝化层远离所述衬底基板一侧的源极和漏极。其中，所述缓冲图案在所述衬底基板上的正投影覆盖所述有源层在所述衬底基板上的正投影；所述缓冲图案在所述衬底基板上的正投影处于所述遮光图案在所述衬底基板上的正投影范围之内，且所述缓冲图案在所述衬底基板上的正投影的面积小于所述遮光图案在所述衬底基板上的正投影的面积。所述栅绝缘层和所述第一钝化层中设置有贯通二者的第一过孔、第二过孔和第三过孔；所述第一过孔和所述第二过孔分别用于暴露所述有源层的一部分，所述第三过孔用于暴露所述遮光图案的一部分。所述源极或所述漏极中的一者通过所述第一过孔与所述有源层耦接；所述源极或所述漏极中的另一者通过所述第二过孔与所述有源层耦接，并且通过所述第三过孔与所述遮光图案耦接。

本公开的上述实施例所提供的阵列基板中，缓冲图案在衬底基板上的正投影处于遮光图案在衬底基板上的正投影范围之内，且缓冲图案在衬底基板上的正投影的面积小于遮光图案在衬底基板上的正投影的面积，即缓冲图案并不完全覆盖遮光图案，而是露出遮光图案的一部分。这样使得源漏导电层(即源极和漏极所在膜层)与有源层之间的膜层为栅绝缘层和第一钝化层，源漏导电层与遮光图案之间的膜层也为栅绝缘层和第一钝化层，从而第二过孔和第三过孔均贯通栅绝缘层和第一钝化层，即二者所贯通的膜层是相同的，因此二者的深度差异较小(甚至二者的深度可以相等)，这样可通过一次构图工艺形成第二过孔和第三过孔，改善了由于第二过孔和第三过孔所贯通的膜层不同，引起二者深度差异较大，而导致有源层过刻蚀的问题，从而在改善有源层过刻蚀问题的前提下，减少了构图工艺的次数，降低了阵列基板的制作成本。

在一些实施例中，所述第二过孔和所述第三过孔的深度相等或大致相等。

在一些实施例中，所述缓冲图案在所述衬底基板上的正投影的边界与所述有源层在所述衬底基板上的正投影的边界重合或大致重合。

在一些实施例中，所述缓冲图案在所述衬底基板上的正投影的边界与所述遮光图案在所述衬底基板上的正投影的边界之间具有间距。