[发明专利]一种用于制造二硫化钼量子点阵列的设备与工艺方法

权利要求书

1.一种用于制造二硫化钼量子点阵列的工艺方法，其特征在于，包括：

步骤S1，将基底样品（21）放入反应腔体（3）内的样品支架（20）上，通过真空系统（19）对反应腔体（3）抽真空；

步骤S2，启动源路系统，对基底样品（21）的表面进行等离子体处理，在基底表面接枝-OH官能团，直至基底样品（21）的表面-OH化；

步骤S3，通过激光系统按照阵列图样，扫描基底样品（21）的表面，其中，被扫描到的地方的-OH发生缩合反应，被剪除挥发；

步骤S4，通过所述激光系统再次对基底样品（21）的表面的-OH进行扫描，剪除多余-OH；

步骤S5，通入Mo源前驱体，通过所述激光系统扫描加热基底样品（21）的表面的-OH，使Mo源前驱体，通过-OH吸附于基底表面；

步骤S6，通入S源前驱体，通过所述激光系统扫描加热基底样品（21）的表面吸附的Mo源前驱体，生成MoS₂量子点；

步骤S7，对基底样品（21）的表面进行等离子体处理，在生成的MoS₂表面接枝-SH官能团，使MoS₂表面-SH化，并重复执行步骤S5-S6；

步骤S8，通过所述激光系统扫描加热MoS₂量子点，调整MoS₂量子点的姿态；

在所述步骤S2中，通过电离含-OH有机物气体，产生-OH自由基，在基底样品（21）的表面接枝-OH，使表面-OH化，其中，所述含-OH有机物气体的种类包括：甲醇、乙醇和苯酚；

在所述步骤S7中，通过电离含-SH有机物气体，产生-SH自由基，在基底样品（21）的表面的MoS₂接枝-SH，使表面-SH化，其中，所述含-SH有机物气体的种类包括：硫醇、硫酚、二巯丙醇、巯基乙酸异辛酯；

在所述步骤S3中，通过所述激光系统扫描基底样品（21）的表面，并将表面温度控制在300-700摄氏度；

在所述步骤S5中，通过所述激光系统扫描基底样品（21）的表面，并将表面温度控制在100-450摄氏度，所述Mo源前驱体的种类包括：MoO₂、MoO₃、MoCl₅、Mo(CO)₆、MoF₆；

在所述步骤S6中，通过所述激光系统扫描基底样品（21）的表面，并将表面温度控制在100-700摄氏度，所述S源前驱体的种类包括：单质S、H₂S、甲硫醚、二甲二硫醚、二烷基二硫醚和二卤代二硫醚；

在所述步骤S3中，通过所述激光系统扫描基底样品（21）的表面，并将表面温度控制在400-800摄氏度。