[发明专利]一种六方氮化硼薄膜生长方法及六方氮化硼薄膜在审
| 申请号： | 202010854162.7 | 申请日： | 2020-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN112086343A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 孙晓娟;隋佳恩;贾玉萍;张山丽;蒋科;石芝铭 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C30B25/18;C30B28/14;C30B29/40 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 曹卫良 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 薄膜 生长 方法 | ||
1.一种六方氮化硼薄膜生长方法，其特征在于，包括下述步骤：
在衬底上形成石墨烯层；
对所述石墨烯层进行刻蚀处理，形成具有图案化石墨烯衬底；
在所述图案化石墨烯衬底上外延生长六方氮化硼薄膜。
2.如权利要求1所述的六方氮化硼薄膜生长方法，其特征在于，在衬底上形成石墨烯层的步骤中，具体包括：
在衬底上生长或转移石墨烯以形成石墨烯衬底，并从所述石墨烯衬底上选出表面平坦的石墨烯区域作为石墨烯层。
3.如权利要求2所述的六方氮化硼薄膜生长方法，其特征在于，所述在衬底上生长石墨烯以形成石墨烯衬底包括采用机械剥离、热分解和化学气相沉积在衬底上生长石墨烯以形成石墨烯衬底，所述在衬底上转移石墨烯以形成石墨烯衬底包括通过CVD的方法在衬底上转移石墨烯以形成石墨烯衬底。
4.如权利要求2所述的六方氮化硼薄膜生长方法，其特征在于，所述衬底为具有六方对称性的衬底。
5.如权利要求4所述的六方氮化硼薄膜生长方法，其特征在于，所述六方对称性的衬底包含但不限于蓝宝石和碳化硅。
6.如权利要求1所述的六方氮化硼薄膜生长方法，其特征在于，对所述石墨烯层进行刻蚀处理，形成具有图案化石墨烯衬底的步骤中，具体包括：
采用光刻的方法对所述石墨烯层进行刻蚀处理，形成具有图案化石墨烯衬底，所述图案化包括但不限于六角形和圆形。
7.如权利要求1所述的六方氮化硼薄膜生长方法，其特征在于，在所述图案化石墨烯衬底上外延生长六方氮化硼薄膜的步骤中，具体包括：
采用MOCVD的方法在所述图案化石墨烯衬底上外延生长六方氮化硼薄膜。
8.如权利要求7所述的六方氮化硼薄膜生长方法，其特征在于，所述六方氮化硼薄膜的厚度为1-3um。
9.一种六方氮化硼薄膜，其特征在于，由权利要求1-8任一项所述的六方氮化硼薄膜生长方法制备而得。
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