[发明专利]半导体装置

说明书

提供在切断电流时能够降低发生半导体装置的破坏的可能性的半导体装置，该半导体装置具备第1电极、第1导电型的第1至第3半导体区域、第2导电型的第4半导体区域及第2电极。第2半导体区域设置于第1半导体区域之上并沿第1面设置于第1半导体区域的周围。第1面包括与第1方向垂直的第2方向和与第1方向及第2方向垂直的第3方向。在沿第1方向和与第1方向垂直且与第2方向及第3方向交叉的第4方向的第1截面中，第1半导体区域的第1外缘位于比第4半导体区域的第2外缘靠内侧的位置。第1截面中的第1外缘与第2外缘间的第4方向的第1距离比沿着第1方向及第2方向的第2截面中的第1外缘与第2外缘间的第2方向的第2距离长。

相关申请

本申请享受以日本专利申请2020-41043号(申请日：2020年3月10日)为基础申请的优先权。本申请通过参考该基础申请包括基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体装置。

背景技术

二极管等半导体装置用于电力变化等用途。要求在切断电流时能够降低发生半导体装置的破坏的可能性的技术。

发明内容

本发明的实施方式提供一种在切断电流时能够降低发生半导体装置的破坏的可能性的半导体装置。

实施方式的半导体装置具备第1电极、第1导电型的第1半导体区域、第1导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、第2导电型的第4半导体区域及第2电极。所述第1半导体区域设置于所述第1电极之上，与所述第1电极电连接。所述第2半导体区域设置于所述第1半导体区域之上、并沿着第1面设置于所述第1半导体区域的周围。所述第1面包括：第2方向，与从所述第1电极朝向所述第1半导体区域的第1方向垂直；以及第3方向，与所述第1方向及所述第2方向垂直。所述第2半导体区域具有比所述第1半导体区域低的第1导电型的杂质浓度。所述第3半导体区域设置于所述第1半导体区域及所述第2半导体区域之上。所述第3半导体区域具有比所述第2半导体区域低的第1导电型的杂质浓度。所述第4半导体区域设置于所述第3半导体区域之上。所述第2电极设置于所述第4半导体区域之上，与所述第4半导体区域电连接。在沿着所述第1方向和与所述第1方向垂直且与所述第2方向及所述第3方向交叉的第4方向的第1截面中，所述第1半导体区域的第1外缘位于比所述第4半导体区域的第2外缘靠内侧的位置。所述第1截面中的所述第1外缘与所述第2外缘之间的所述第4方向的第1距离比沿着所述第1方向及所述第2方向的第2截面中的所述第1外缘与所述第2外缘之间的所述第2方向的第2距离长。

附图说明

图1是表示第1实施方式的半导体装置的俯视图。

图2是图1的A1-A2剖视图。

图3是表示第1实施方式的半导体装置的俯视图。

图4是图1的B1-B2剖视图。

图5是表示第1实施方式的半导体装置中的载流子的流动的示意图。

图6是表示第1实施方式的第1变形例的半导体装置的俯视图。

图7是表示第1实施方式的第2变形例的半导体装置的俯视图。

图8是表示第1实施方式的第3变形例的半导体装置的俯视图。

图9是图8的A1-A2剖视图。

图10是表示第1实施方式的第4变形例的半导体装置的仰视图。

图11是图10的A1-A2剖视图。

图12是表示第1实施方式的第5变形例的半导体装置的俯视图。

图13是图12的A1-A2剖视图。

图14是表示第1实施方式的第6变形例的半导体装置的俯视图。