[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

基板，包括：第一区域，包含存储单元阵列；第二区域，包含控制所述存储单元阵列的电路；第三区域，将所述第一区域与所述第二区域分开；以及第四区域，包围所述第三区域；

第一晶体管，设于所述第二区域；

第二晶体管，在所述第三区域中，设于所述第一区域与所述第一晶体管之间，栅极处于非电连接状态；

第三晶体管，在所述第三区域中，设于所述第一晶体管与所述第二晶体管之间，栅极处于非电连接状态；以及

第一绝缘层，包括第一部分和第二部分，该第一部分设于所述第一晶体管至第三晶体管的上方，该第二部分在所述第二晶体管与所述第三晶体管之间与所述基板相接。

2.如权利要求1所述的半导体存储装置，

所述第二晶体管具有包围所述第一区域的环状的栅极，

所述第二部分以包围所述第二晶体管的方式设置，

所述第三晶体管具有包围所述第二部分的环状的栅极。

3.如权利要求2所述的半导体存储装置，

所述半导体存储装置还具备多个第一接触插塞，该多个第一接触插塞在所述第三区域中设于所述第一区域与所述第二晶体管之间，

所述第二晶体管的所述栅极具有第一突出部分，该第一突出部分在与面对所述第二部分的第一面对置的第二面上配置在所述多个第一接触插塞之间，并朝向所述第一区域延伸。

4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体存储装置，

所述半导体存储装置还具备：

第四晶体管，在所述第三区域中设于所述第二区域与所述第四区域之间，栅极处于非电连接状态；

第五晶体管，在所述第三区域中设于所述第四晶体管与所述第四区域之间，栅极处于非电连接状态；

第二接触插塞，在所述第三区域中所述第二区域与所述第四晶体管之间设于；以及

第三接触插塞，在所述第三区域中设于所述第五晶体管与所述第四区域之间，

所述第一绝缘层还包括第三部分，该第三部分在所述第四晶体管与所述第五晶体管之间与所述基板相接。

5.如权利要求4所述的半导体存储装置，

所述第四晶体管的所述栅极具有包围所述第一区域及第二区域的环状形状，

所述第三部分以包围所述第四晶体管的方式设置，

所述第五晶体管的所述栅极具有包围所述第三部分的环状形状。

6.如权利要求5所述的半导体存储装置，

所述第四晶体管的所述栅极具有第二突出部分，该第二突出部分在与面对所述第三部分的第三面对置的第四面上，向远离所述第三部分的方向延伸，

所述第五晶体管的所述栅极具有第三突出部分，该第三突出部分在与面对所述第三部分的第五面对置的第六面上，向远离所述第三部分的方向延伸。

7.如权利要求6所述的半导体存储装置，

所述第二接触插塞具有包围所述第一区域及第二区域的环状构造，并包括：

第四部分，与所述第四面相邻，并沿第一方向延伸；

第五部分，一端与所述第一部分连接，与所述第二突出部分相邻，并沿远离所述第四面的第二方向延伸；

第六部分，一端与所述第五部分的另一端连接，与所述第二突出部分相邻，并沿所述第一方向延伸；

第七部分，一端与所述第六部分的另一端连接，与所述第二突出部分相邻，并沿所述第二方向延伸；以及

第八部分，一端与所述第七部分的另一端连接，与所述第四面相邻，并沿所述第一方向延伸。

8.如权利要求6所述的半导体存储装置，

所述第二接触插塞包括：

第八部分及第九部分，与所述第四面相邻，各自在第三方向上分离地配置，并沿所述第三方向延伸；以及

第十部分，与所述第八部分及第九部分在远离所述第四面的第四方向上分离地配置，与所述第二突出部分相邻，并沿所述第三方向延伸，

所述第十部分的所述第三方向的长度比所述第八部分与所述第九部分分离的距离长。