[发明专利]高频集成变压器原边绕组的低分布电容布局方法在审
| 申请号： | 202010854837.8 | 申请日： | 2020-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN112002536A | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 孟涛;王世刚;李春艳;安彦桦 | 申请（专利权）人： | 黑龙江大学 |
| 主分类号： | H01F27/28 | 分类号： | H01F27/28;G06F30/392 |
| 代理公司： | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人： | 杨晓辉 |
| 地址： | 150000 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高频 集成 变压器 绕组 分布电容 布局 方法 | ||
【权利要求书】：
1.高频集成变压器原边绕组的低分布电容布局方法，其特征在于，该方法为：每个原边绕组均分为p份，并采用层层交错式布局将N个原边绕组进行p层绕制，N2，p≥2，每个原边绕组采用Z型结构绕制。
2.根据权利要求1所述高频集成变压器原边绕组的低分布电容布局方法，其特征在于，原边绕组每层绕组匝数a＝W/p，W为每个原边绕组的匝数。
3.根据权利要求1所述高频集成变压器原边绕组的低分布电容布局方法，其特征在于，每层中的N个原边绕组在绕线骨架上由内至外的排列顺序相同，排列顺序为第1个原边绕组PW1→第2个原边绕组PW2→...→第N个原边绕组PWN，或第N个原边绕组PWN→...→第2个原边绕组PW2→第1个原边绕组PW1。
4.根据权利要求3所述高频集成变压器原边绕组的低分布电容布局方法，其特征在于，将变压器副边绕组均分为p-1份，并以集中式布局绕制在相邻两层原边绕组之间。
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