[发明专利]一种行波电极调制器及光子集成芯片

权利要求书

1.一种行波电极调制器，包括硅基板、设于所述硅基板内的光波导、设于所述光波导两侧并与所述光波导连接的掺杂的过渡区，以及与所述过渡区电连接的行波电极结构；其特征在于：所述行波电极结构包括至少一层沿所述光波导延伸方向连续延伸的连续电极和至少一层沿所述光波导延伸方向周期性变化的周期性电极，以及导电结构；所述连续电极和所述周期性电极之间、以及所述行波电极结构和所述过渡区之间通过所述导电结构相电连接。

2.根据权利要求1所述的行波电极调制器，其特征在于：所述行波电极结构包括两层或多层所述周期性电极，和/或两层或多层所述连续电极。

3.根据权利要求2所述的行波电极调制器，其特征在于：所述周期性电极与所述连续电极间隔设置，或者两层或多层所述周期性电极相邻设置。

4.根据权利要求2所述的行波电极调制器，其特征在于：位于不同层的所述周期性电极的结构参数相等或不等；所述结构参数包括周期和占空比。

5.根据权利要求1所述的行波电极调制器，其特征在于：所述连续电极和所述周期性电极均包括信号极和接地极；位于同一层的所述信号极和接地极之间具有电极间距，位于不同层的所述电极间距相等或不等。

6.根据权利要求1所述的行波电极调制器，其特征在于：所述导电结构包括导电过孔。

7.根据权利要求1所述的行波电极调制器，其特征在于：所述硅基板包括依次层叠的硅衬底、绝缘层和光波导层，所述光波导和所述过渡区位于所述光波导层；所述行波电极结构设于所述光波导层上方。

8.根据权利要求7所述的行波电极调制器，其特征在于：所述硅衬底靠近所述绝缘层的表面设有凹槽，所述凹槽位于所述光波导的下方，沿所述光波导设置；或者，所述硅衬底位于所述光波导下方的区域设有一贯穿所述硅衬底上下表面的沟槽。

9.根据权利要求7所述的行波电极调制器，其特征在于：所述光波导层上方设有覆盖层，所述行波电极结构设于所述覆盖层内。

10.一种光子集成芯片，其特征在于：包括权利要求1-9任一项所述的行波电极调制器。