[发明专利]等离子体处理装置和处理方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其包括：

载置基片的第一电极；

用于生成等离子体的等离子体生成源；

对所述第一电极供给偏置功率的偏置电源；

对所述等离子体生成源供给频率比所述偏置功率高的生成源功率的生成源电源；和

控制所述偏置电源和所述生成源电源的控制部，

所述等离子体处理装置的特征在于：

所述生成源功率具有第一状态和第二状态，

所述控制部进行控制，使得与跟所述偏置功率的高频的周期同步的信号、或者基准电气状态的一个周期内的相位同步地交替施加所述第一状态和所述第二状态，其中所述基准电气状态表示在所述偏置功率的供电系统中测量出的电压、电流或者电磁场中任一者，

并且，所述控制部在至少所述基准电气状态的一个周期内的相位的负侧峰值时将生成源功率控制为关断。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述控制部使将所述生成源功率控制为关断的时间在所述生成源功率接通时生成的离子密度在规定以上的时间以下。

3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述控制部在所述基准电气状态的一个周期内的相位从负变正的时刻将所述生成源功率控制为接通。

4.如权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述控制部使所述生成源功率的接通和关断的周期为所述偏置功率的高频的周期的2倍，并且在所述基准电气状态的一个周期内的相位的负峰值时将生成源功率控制为关断。

5.如权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述控制部将所述生成源功率的占空比控制为40％以上。

6.如权利要求1～5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述控制部使所述偏置功率和所述生成源功率间歇地停止。

7.如权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第二状态的所述生成源功率的值为0。

8.一种在等离子体处理装置中实施的处理方法，其中：

所述等离子体处理装置包括：

载置基片的第一电极；

用于生成等离子体的等离子体生成源；

对所述第一电极供给偏置功率的偏置电源；和

对所述等离子体生成源供给频率比所述偏置功率高的生成源功率的生成源电源，

所述生成源功率具有第一状态和第二状态，

所述处理方法的特征在于：

与跟所述偏置功率的高频的周期同步的信号、或者基准电气状态的一个周期内的相位同步地交替施加所述第一状态和所述第二状态，其中所述基准电气状态表示在所述偏置功率的供电系统中测量出的电压、电流或者电磁场中任一者，

在至少所述基准电气状态的一个周期内的相位的负侧峰值时将生成源功率控制为关断。