[发明专利]一种液态微流道互联接口及其焊接工艺有效

专利信息
申请号: 202010855303.7 申请日: 2020-08-24
公开(公告)号: CN111952195B 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: 冯光建;黄雷;郭西;顾毛毛;高群 申请(专利权)人: 浙江集迈科微电子有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L23/473
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 代理人: 曹祖良
地址: 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 液态 微流道互 联接 及其 焊接 工艺
【权利要求书】:

1.一种液态微流道互联接口焊接工艺,其特征在于,包括以下步骤:

(a)、提供带有微流道的衬底,在衬底上形成第一金属bump和第二金属bump;

(b)、抛光第一金属bump表面的第二金属,得到具有双层结构bump的衬底;

(c)、在衬底表面开通孔,使微通道跟外界导通,所述第一金属bump和第二金属bump均包括两个,两个第一金属bump设置在通孔两侧,两个第二金属bump设置在两个第一金属bump两侧并远离通孔,所述第一金属bump和第二金属bump接触设置;然后在第一金属bump和第二金属bump表面刷焊锡,通过晶圆级键合工艺将两个刷焊锡的衬底键合在一起,得到最终结构。

2.如权利要求1所述的液态微流道互联接口焊接工艺,其特征在于,所述步骤(a)具体为:

(a1)、在衬底上表面沉积绝缘层,在绝缘层上形成至少一层种子层,然后通过光刻胶定位第一bump位置,电镀第一金属bump;

(a2)、去除光刻胶,腐蚀掉衬底表面种子层,剩下第一金属bump;

(a3)、在绝缘层上形成至少一层种子层,然后通过光刻胶定位第二bump位置,电镀第二金属bump;

(a4)、去除光刻胶,腐蚀掉第一衬底表面第二种子层,剩下第二金属bump。

3.如权利要求2所述的液态微流道互联接口焊接工艺,其特征在于,所述绝缘层的材质为氧化硅或氮化硅,厚度为0.01um~100um;所述种子层厚度为0.001um~100um,所述种子层材质选自钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍的一种。

4.如权利要求2所述的液态微流道互联接口焊接工艺,其特征在于,所述第一金属bump的材质为钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍的一种;金属厚度为1um~100um,金属为一层或多层;所述第二金属bump的材质为锡、铟、钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍的一种,金属厚度为1um~100um,金属为一层或多层。

5.一种液态微流道互联接口,其特征在于,包括:两个衬底,每个所述衬底内均设置微流道,每个所述衬底中间均设置通孔使微流道和外界导通,所述通孔两侧均设置至少一层第一金属bump和至少一层第二金属bump,所述第一金属bump和第二金属bump上均设置焊锡层,所述两个衬底通过焊锡层结合;

所述第一金属bump和第二金属bump均包括两个,两个第一金属bump设置在通孔两侧,两个第二金属bump设置在两个第一金属bump两侧并远离通孔,所述第一金属bump和第二金属bump接触设置。

6.如权利要求5所述的液态微流道互联接口,其特征在于,所述第一金属bump的材质为钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍的一种,金属厚度为1um~100um;所述第二金属bump的材质为锡、铟、钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍的一种,金属厚度为1um~100um,金属为一层或多层。

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