[发明专利]一种微型器件转移装置、系统及转移方法在审
申请号: | 202010855338.0 | 申请日: | 2020-08-24 |
公开(公告)号: | CN111799207A | 公开(公告)日: | 2020-10-20 |
发明(设计)人: | 韩进龙 | 申请(专利权)人: | 韩进龙 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L33/00 |
代理公司: | 安徽知问律师事务所 34134 | 代理人: | 王亚军 |
地址: | 210000 江苏省南京市玄*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 微型 器件 转移 装置 系统 方法 | ||
1.一种微型器件转移装置,其特征在于,包括投射装置(204)和接收装置(202);接收装置(202)与投射装置(204)相对旋转或移动;投射装置(204)和接收装置(202)表面各设置有感光材料层,投射装置(204)和接收装置(202)上各设置有发光源(7);投射装置(204)和接收装置(202)上各设置有布电器(6)。
2.根据权利要求1所述的一种微型器件转移装置,其特征在于,所述的发光源(7)设置在投射装置(204)和接收装置(202)的外侧或内侧。
3.根据权利要求2所述的一种微型器件转移装置,其特征在于,所述的发光源(7)为激光发射器或LPH发光光源。
4.根据权利要求1所述的一种微型器件转移装置,其特征在于,所述的投射装置(204)和接收装置(202)为单滚轮结构、皮带式结构或平面结构。
5.根据权利要求4所述的一种微型器件转移装置,其特征在于,皮带式结构投射装置(204)包括不少于2个的转轮(242),以及围绕在转轮(242)外围的感光皮带(241),感光皮带(241)上设置有感光材料层。
6.一种微型器件转移系统,其特征在于,包括若干权利要求1-5所述的微型器件转移装置,转移基板(5)穿过转印滚轮(203)与接收装置(202)之间,转印滚轮(203)将接收装置(202)上的微型器件(1)转移至转移基板(5)上。
7.一种微型器件转移方法,步骤如下:
A、采用权利要求1-5任一所述的转移装置投射装置(204)通过旋转或移动,通过布电器(6)布电在投射装置(204)表面产生高电位的静电荷,经发光源(7)照射,在要吸附微型器件(1)的位置,将高电位静电荷转变成低电位静电荷,微型器件(1)放置在导通高电位静电荷的装置中,利用投射装置(204)表面低电位静电荷与微型器件(1)高电位的静电荷,通过静电效应,将微型器件(1)吸附在感光材料层上;
B、投射装置(204)和接收装置(202)上的设置有感光材料层的表面相对运动,控制发光源(7),相对运动时对应装置的布电器(6)各自在对应结构的表面布电产生高电位的静电荷,投射装置(204)经再由控制发光源(7),照射在投射装置(204)表面,不需要转移位置表面位置产生低电位的静电荷;需要转移的微型器件(1)的表面位置,发光源(7)不发光照射,保留高电位的静电荷,投射装置(204)和接收装置(202)相互再旋转下一圈或移动下一次时,将再重新被布电器布电在装置表面产生高电位的静电荷,再控制发光源(7)照射在下一個转移位置;
C、接收装置(202)旋转或移动时,接收装置(202)上布电器(6)布电在接收装置(202)表面产生高电位的静电荷,控制发光源(7),光线照射在接收装置(204)感光材料层表面需要转移的微型器件(1)位置,被发光源(7)发光照射接收装置(202)表面产生低电位的静电荷,相对应投射装置(204)要投射的微型器件(1)则处于高电位的静电荷,接收装置(202)处于低电位的静电荷,两者有电位差,通过静电效应将投射装置(204)上的微型器件(1)吸附转移到接收装置(202)上;
投射装置(204)和接收装置(202)相互再旋转下一圈或移动下一次时,将再重新被各自的布电器(6)重新再布电,两组发光源(7)分别发光照射在投射装置(204)和接收装置(202)对应位置,重复B、C步骤。
8.根据权利要求7所述的一种微型器件转移方法,还包括如下步骤,
D、转移基板(5)穿过转印滚轮(203)与接收装置(202)之间,接收装置(202)与转印滚轮(203)两者有电位差产生静电效应,将接收装置(202)感光材料上的微型器件(1)经静电效应转移到转移基板(5)上;
E、下一个转移基板(5)用位置差或轴向移动改变位置,对应下一次投射的微型器件(1);
F、再不断重复B、C、D、E步骤直到投射装置(204)上微型器件(1)投射完。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造