[发明专利]一种点状三维球状超小电容半导体探测器模型及应用

权利要求书

1.一种点状三维球状超小电容半导体探测器模型，其特征在于，所述点状三维球状超小电容半导体探测器模型为：

电势与电场如下：

2.如权利要求1所述的点状三维球状超小电容半导体探测器模型，其特征在于，所述探测器模型中央电极的半径约为10微米，球状外围电极的宽度为10微米，探测器的半径为60微米。

3.如权利要求1所述的点状三维球状超小电容半导体探测器模型，其特征在于，所述硅体即球体若是n型硅基，球状电极由1×10¹⁹/cm³的p型重掺杂组成，中央点状电极由1×10¹⁹/cm³的n型重掺杂组成，这种探测器用于无辐射环境下的光子探测，低能X射线探测。

4.如权利要求1所述的点状三维球状超小电容半导体探测器模型，其特征在于，所述硅体即球体若是p型硅基，球状电极由1×10¹⁹/cm³的n型重掺杂组成，中央点状电极由1×10¹⁹/cm³的p型重掺杂组成，设计可用于辐射环境下的电子、高能粒子探测等，通常这种情况下的探测器半径设计与无辐射环境不一致，根据应用场合可能更大也可能更小。

5.一种半导体硅的探测方法，其特征在于，所述半导体硅的探测方法使用权利要求1～4任意一项所述的点状三维球状超小电容半导体探测器模型。

6.一种半导体锗的探测方法，其特征在于，所述半导体锗的探测方法使用权利要求1～4任意一项所述的点状三维球状超小电容锗探测器模型。

7.一种三五族化合物的探测方法，其特征在于，所述三五族化合物的探测方法使用权利要求1～4任意一项所述的点状三维球状超小电容化合物半导体探测器模型。