[发明专利]晶圆级贴片互联方式在审
申请号: | 202010855828.0 | 申请日: | 2020-08-24 |
公开(公告)号: | CN111952245A | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 冯光建;马飞;郭西;高群;顾毛毛 | 申请(专利权)人: | 浙江集迈科微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 曹祖良;夏苏娟 |
地址: | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆级贴片互联 方式 | ||
1.一种晶圆级贴片互联方式,其特征在于,包括以下步骤,
A、把芯片(102)贴在基板(101)上,在基板(101)和芯片(102)表面沉积下层种子层(103),电镀制作RDL;
B、去除步骤A中制作RDL的光刻胶和RDL外的下层种子层(103),继续沉积上层种子层(106),涂布光刻胶曝光定义出凸点位置,电镀形成金属凸点(107);
C、去除步骤B中涂布的光刻胶和金属凸点(107)外的上层种子层(106),形成具有垂直互联结构的贴片结构。
2.如权利要求1所述的晶圆级贴片互联方式,其特征在于,所述步骤A的具体步骤如下:通过粘贴、硅直接键合或者静电吸附键合的方式把芯片(102)贴在基板(101)上;通过物理溅射,磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作下层种子层(103);在基板上涂光刻胶(104),然后曝光显影露出RDL区域,在RDL区域电镀金属(105)。
3.如权利要求1所述的晶圆级贴片互联方式,其特征在于,所述下层种子层(103)和上层种子层(106)均为一层或多层,材质为钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的至少一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造