[发明专利]晶圆级贴片互联方式在审

专利信息
申请号: 202010855828.0 申请日: 2020-08-24
公开(公告)号: CN111952245A 公开(公告)日: 2020-11-17
发明(设计)人: 冯光建;马飞;郭西;高群;顾毛毛 申请(专利权)人: 浙江集迈科微电子有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 代理人: 曹祖良;夏苏娟
地址: 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 晶圆级贴片互联 方式
【权利要求书】:

1.一种晶圆级贴片互联方式,其特征在于,包括以下步骤,

A、把芯片(102)贴在基板(101)上,在基板(101)和芯片(102)表面沉积下层种子层(103),电镀制作RDL;

B、去除步骤A中制作RDL的光刻胶和RDL外的下层种子层(103),继续沉积上层种子层(106),涂布光刻胶曝光定义出凸点位置,电镀形成金属凸点(107);

C、去除步骤B中涂布的光刻胶和金属凸点(107)外的上层种子层(106),形成具有垂直互联结构的贴片结构。

2.如权利要求1所述的晶圆级贴片互联方式,其特征在于,所述步骤A的具体步骤如下:通过粘贴、硅直接键合或者静电吸附键合的方式把芯片(102)贴在基板(101)上;通过物理溅射,磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作下层种子层(103);在基板上涂光刻胶(104),然后曝光显影露出RDL区域,在RDL区域电镀金属(105)。

3.如权利要求1所述的晶圆级贴片互联方式,其特征在于,所述下层种子层(103)和上层种子层(106)均为一层或多层,材质为钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的至少一种。

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