[发明专利]一种半导体器件封装结构及半导体器件封装方法

权利要求书

1.一种半导体器件封装结构，其特征在于，包括：

半导体管芯(10)，在其第一端(11)上设有正面电极，在其第二端上设有背面电极，所述第一端(11)与所述第二端相对；

石墨烯结合膜(20)；

封装容器(30)，其包括连接板(31)和侧壁板(32)；所述侧壁板(32)由所述连接板(31)延伸并弯折，以与所述连接板(31)围成封装空间；所述半导体管芯(10)设于所述封装空间内，所述半导体管芯(10)的第二端、所述石墨烯结合膜(20)和所述连接板(31)依次结合；所述侧壁板(32)包括外引端(321)，所述背面电极通过所述石墨烯结合膜(20)、所述连接板(31)与外引端(321)电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件封装结构，其特征在于，所述封装容器(30)为金属容器。

3.根据权利要求1所述的半导体器件封装结构，其特征在于，所述石墨烯结合膜(20)的一端与所述半导体管芯(10)的第二端键合或粘合，所述石墨烯结合膜(20)的另一端与所述连接板(31)键合或粘合。

4.根据权利要求1所述的半导体器件封装结构，其特征在于，所述石墨烯结合膜(20)包括膜本体(21)，还包括离散地分布于所述膜本体(21)内部的银颗粒(22)。

5.根据权利要求1所述的半导体器件封装结构，其特征在于，所述石墨烯结合膜(20)的厚度与所述半导体管芯(10)的厚度的比例为0.1至0.4。

6.根据权利要求1-5任一项所述的半导体器件封装结构，其特征在于，所述正面电极包括源极(141)和栅极(142)，所述背面电极包括漏极(15)。

7.根据权利要求1-5任一项所述的半导体器件封装结构，其特征在于：还包括基板(60)；所述外引端(321)、所述正面电极分别通过导电焊材层(70)焊接于所述基板(60)。

8.一种半导体器件封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

S10：提供半导体管芯(10)，半导体管芯(10)的第一端(11)上设有正面电极，半导体管芯(10)的第二端上设有背面电极，所述第一端(11)与所述第二端相对；

S20：在半导体管芯(10)的第二端上附着石墨烯结合膜(20)，以使所述半导体管芯(10)的第二端与所述石墨烯结合膜(20)结合，以使所述背面电极与所述石墨烯结合膜(20)电连接，从而形成第一结合结构；

S30：提供封装容器(30)，所述封装容器(30)包括连接板(31)和侧壁板(32)；所述侧壁板(32)由所述连接板(31)延伸并弯折，以与所述连接板(31)围成封装空间；所述侧壁板(32)包括外引端(321)；

S40：将所述第一结合结构放置于所述封装容器(30)的封装空间内，将所述第一结合结构的石墨烯结合膜(20)附着于所述连接板(31)，以使所述石墨烯结合膜(20)远离所述半导体管芯(10)的一端与所述连接板(31)结合，以形成封装本体。

9.根据权利要求8所述的半导体器件封装方法，其特征在于，在所述S10步骤中，提供晶圆，所述晶圆上包括若干所述半导体管芯(10)；若干所述半导体管芯(10)的第二端共面，均位于所述晶圆的背面；

在所述S20步骤中，包括：

S21：通过贴装或键合的方式，将石墨烯结合膜(20)附着于所述晶圆的背面；

S22：切割晶圆，以获得若干所述第一结合结构。

10.根据权利要求8所述的半导体器件封装方法，其特征在于，所述封装方法还包括S50步骤和S60步骤；

S50：对所述封装本体进行烘烤固化，以使所述石墨烯结合膜(20)分别与所述半导体管芯(10)、所述封装容器(30)可靠结合；

S60：提供基板(60)，将所述封装本体的外引端(321)、所述正面电极分别焊接于所述基板(60)，以使所述正面电极与所述基板(60)电连接，所述背面电极与所述基板(60)电连接。