[发明专利]高电流、低切换损耗SiC功率模块

权利要求书

1.一种功率模块，包括：

壳体，具有内部腔室；

第一端子和第二端子，所述第一端子和所述第二端子被配置为取消所述功率模块的至少一部分漏电感；

爬电分隔器，在所述第一端子与所述第二端子之间；以及

多个切换模块，在所述第一端子与所述第二端子之间安装在所述内部腔室内，并且所述多个切换模块互相连接以促进切换到负载的功率，其中，所述多个切换模块中的每一者包括至少一个晶体管和至少一个二极管。

2.根据权利要求1所述的功率模块，其中，所述功率模块能够阻断至少1200伏特、并且传导至少120安培，所述功率模块具有小于25毫焦耳的切换损耗。

3.根据权利要求1所述的功率模块，其中，所述至少一个晶体管和所述至少一个二极管是碳化硅器件。

4.根据权利要求3所述的功率模块，其中，所述至少一个晶体管是金属氧化物半导体场效应晶体管，所述至少一个二极管是肖特基二极管。

5.根据权利要求3所述的功率模块，其中，所述至少一个晶体管与所述至少一个二极管反向并联耦接。

6.根据权利要求1所述的功率模块，其中，所述第一端子和所述第二端子被布置为使得所述第一端子的至少150mm²的面积位于所述第二端子的1.5mm内。

7.根据权利要求1所述的功率模块，其中，至少一个体二极管是所述至少一个晶体管的内部体二极管。

8.根据权利要求1所述的功率模块，其中，至少一个体二极管在所述至少一个晶体管的外部。

9.根据权利要求1所述的功率模块，其中，

所述功率模块进一步包括功率基板；

所述多个切换模块中的每一者进一步包括至少一个栅极电阻器；并且

所述多个切换模块中的每一者的所述至少一个栅极电阻器、所述至少一个晶体管和所述至少一个二极管安装在所述功率基板上，使得所述功率基板的表面提供所述多个切换模块中的每一者的所述至少一个栅极电阻器、所述至少一个晶体管和所述至少一个二极管之间的电气连接。

10.根据权利要求9所述的功率模块，其中，所述功率基板包括氮化铝。

11.根据权利要求10所述的功率模块，进一步包括：底板，使得所述功率基板在所述底板上，并且所述底板包括氮化硅铝。

12.根据权利要求1所述的功率模块，其中，所述爬电分隔器是所述壳体的一部分。

13.根据权利要求1所述的功率模块，其中，所述爬电分隔器提供所述第一端子与所述第二端子之间的电气隔离。

14.一种功率模块，包括：

壳体，具有内部腔室；

功率基板，在所述内部腔室内；

多个晶体管，在所述功率基板的表面上，所述多个晶体管形成一部分切换模块；以及

栅极连接器，所述栅极连接器经由栅极连接总线耦接至所述多个晶体管中的每一者的栅极接触，所述栅极连接总线包括所述功率基板的表面上的栅极总线导电迹线。

15.根据权利要求14所述的功率模块，其中，所述栅极总线导电迹线在所述功率基板的相对侧之间行进。

16.根据权利要求14所述的功率模块，其中，所述多个晶体管是碳化硅器件。

17.根据权利要求16所述的功率模块，其中，所述栅极连接器经由所述栅极连接总线和屏蔽电缆耦接至所述多个晶体管中的每一者的所述栅极接触。