[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

对半导体衬底表面进行掺杂处理以形成掺杂层，所述掺杂层包括第一掺杂浓度的掺杂元素；

在所述掺杂层的表面沉积包括所述掺杂元素的掺杂非晶硅层；

选择性去除所述掺杂非晶硅层的至少一个区域；

对包括所述掺杂层和所述掺杂非晶硅层的半导体衬底退火处理使得所述掺杂层包括具有所述第一掺杂浓度的轻掺区域和具有第二掺杂浓度的重掺区域，其中所述第二掺杂浓度大于所述第一掺杂浓度；以及

对所述退火处理后的半导体衬底进行后处理以制备太阳能电池。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述掺杂非晶硅层的厚度为20nm～300nm。

3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，在所述掺杂层的表面沉积包括所述掺杂元素的掺杂非晶硅层，包括：

在所述掺杂层的表面形成非晶硅层并同时进行原位掺杂处理以形成所述掺杂非晶硅层；或，

在所述掺杂层的表面沉积非晶硅层，再对所述非晶硅层进行掺杂处理以形成所述掺杂非晶硅层。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述选择性去除所述掺杂非晶硅层的至少一个区域，包括：

在所述掺杂非晶硅层的表面的预设栅线区域设置保护层；以及

通过刻蚀液刻蚀所述掺杂非晶硅层的非预设栅线区域并去除所述保护层；或者

通过激光去除方式去除所述非预设栅线区域对应的掺杂非晶硅层。

5.根据权利要求3所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，在所述掺杂层的表面沉积包括所述掺杂元素的掺杂非晶硅层的方式包括化学气相沉积法、物理气相沉积法、原子层沉积法中的任意一种。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述对半导体衬底表面进行掺杂处理以形成掺杂层，包括：

采用高温扩散工艺、浆料掺杂工艺或离子注入工艺中的任意一种掺杂工艺形成与所述半导体衬底极性相反的所述掺杂层。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述掺杂层的方阻为80Ω/sqr～400Ω/sqr。

8.根据权利要求1～7任一项所述的太阳能电池制备方法，所述退火处理在惰性气氛保护下进行，所述惰性气氛包括氮气、氩气中的至少一种；和/或，所述退火处理的温度为700℃～950℃。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述对所述退火处理后的半导体衬底进行后处理，包括：

对所述退火处理后的半导体衬底的表面进行钝化处理以获得至少一层钝化层；以及

对所述钝化处理后的半导体衬底的表面进行金属化处理以获得至少一个电极，所述至少一个电极穿透所述钝化层与所述掺杂层的重掺区域形成欧姆接触。

10.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池由权利要求1至9任一项所述的太阳能电池制备方法得到。