[发明专利]一种InGaN基光阳极的制备方法

权利要求书

1.一种InGaN基光阳极的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：

步骤1、在酸性溶液中，采用光电化学刻蚀技术对GaN多层结构进行恒电压刻蚀，制备出中孔GaN镜；

所述GaN多层结构包括低掺杂GaN层和高掺杂GaN层，厚度均为50-68nm，低掺杂GaN层掺杂浓度为4.0×10¹⁵-1.0×10¹⁸cm^-3，高掺杂GaN层掺杂浓度为3.0×10¹⁸-4.0×10¹⁹cm^-3，周期数为7；

步骤2、以中孔GaN镜为衬底，先采用MOCVD技术外延生长InGaN/GaN层，所述InGaN/GaN层包括GaN层、超晶格结构和多量子阱层，所述GaN层是在850-1060℃温度下制备的1.5-2.6μm厚的n-GaN层，掺杂浓度为3.5×10¹⁸-7.5×10¹⁹cm^-3；所述超晶格结构是周期为9-11的In_xGa_1-x N/GaN超晶格结构，其中，0x0.1，每个周期中，In_x Ga_1-x N厚度为3-4nm，GaN厚度为7nm；所述多量子阱层是周期14-30的In_y Ga_1-yN/GaN多量子阱结构，其中，0.1y0.4，每个周期中，In_yGa_1-y N厚度为4-6nm，GaN厚度为10-11nm，最后生长掺Mg的p-GaN层，掺杂浓度为1×10¹⁹cm^-3-6×10¹⁹cm^-3，厚度为100-300nm；

通过能带工程调制In组分，调制其带隙，然后采用电子束蒸发技术，蒸镀欧姆接触电极，制备出InGaN基光阳极。

2.根据权利要求1所述一种InGaN基光阳极的制备方法，其特征在于，步骤1所述刻蚀技术为光电化学刻蚀技术，所述酸性溶液是浓度为0.3-0.5mol/L的硫酸、硝酸或盐酸水溶液中的任意一种。

3.根据权利要求1所述一种InGaN基光阳极的制备方法，其特征在于，所述恒电压刻蚀的电压为5-50V，刻蚀时间范围为5-80min。