[发明专利]一种晶体滤波元件及其制备方法

权利要求书

1.一种晶体滤波元件，包括多个体谐振器、第一输入端点、第二输入端点、第一输出端点和第二输出端点，多个体谐振器分为与两个输出端点有串联关系的第一体谐振器、与两个输出端点有并联关系的第二体谐振器两种，每个体谐振器包括基片、第一电极和第二电极，所述基片包括生长衬底和置于生长衬底上的晶体薄膜层，所述晶体薄膜层具有上表面和部分暴露于生长衬底外的下表面，各第一电极设置在晶体薄膜层相应的暴露的下表面，所述第二电极设置在晶体薄膜层的上表面，各体谐振器之间通过第一电极连线或第二电极连线连接，其特征在于：所述第一体谐振器具有至少两个，各第一体谐振器分布在同一个第一圆弧上，所述第一圆弧对应的晶体薄膜层的位置厚度相同。

2.根据权利要求1所述的晶体滤波元件，其特征在于：所述第二体谐振器具有至少两个，各第二体谐振器分布在同一个第二圆弧上，所述第二圆弧对应的晶体薄膜层的位置厚度相同。

3.根据权利要求1所述的晶体滤波元件，其特征在于：所述生长衬底通过蚀刻而使得晶体薄膜层的部分下表面暴露，所述生长衬底在蚀刻位置和底部形成表面，所述第一电极连线沿生长衬底的表面延伸、从而能够连接需要连接的第一电极。

4.根据权利要求3所述的晶体滤波元件，其特征在于：所述生长衬底的表面上设置有第一介质层，所述第一介质层延伸到晶体薄膜层和第一电极连线之间。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的晶体滤波元件，其特征在于：所述生长衬底的上表面包括高阻的材料层。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的晶体滤波元件，其特征在于：所述生长衬底的厚度不超过200微米。

7.根据权利要求1所述的晶体滤波元件，其特征在于：所述晶体滤波元件是梯式滤波器，在相邻的第一体谐振器和第一体谐振器、第一体谐振器和第二体谐振器、第二体谐振器和第二体谐振器之间，分别交替利用基片上侧的第二电极连线和下侧的第一电极连线进行连接，所述第二输入端点和第二输出端点为地线连接点、分别位于基片的上侧和下侧。

8.根据权利要求7所述的晶体滤波元件，其特征在于：当第一体谐振器的数量为偶数时，所述基片下侧仅有第二输出端点。

9.一种晶体滤波元件的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

1)提供基片：所述基片包括生长衬底和生长在生长衬底上的晶体薄膜层；

2)除去部分生长衬底，使得所述晶体薄膜层的下表面部分暴露，与此同时生长衬底在除去位置和底部形成表面；

3)形成第一介质层和第一电极：在生长衬底的表面形成第一介质层，然后在晶体薄膜层暴露的下表面处除去第一介质层后、形成第一电极；将所需连接的第一电极通过第一电极连线电连接；

4)对所述晶体薄膜层的上表面进行台面腐蚀；

5)在所述晶体薄膜层的上表面上形成第二介质层；

6)形成第二电极：在与位于晶体薄膜层下表面的第一电极位置对应处，除去晶体薄膜层上的第二介质层后，形成第二电极；

7)将所需连接的第二电极通过第二电极连线连接，并且形成与第一体谐振器或第二体谐振器连接的第一输入端点、第二输入端点、第一输出端点和第二输出端点。

10.根据权利要求9所述的晶体滤波元件的制备方法，其特征在于：在所述第一电极的下表面形成支撑层。