[发明专利]光刻掩模板、对准标记及其制备方法以及湿法刻蚀方法

权利要求书

1.一种光刻掩模板，其特征在于，包括：

预定对准标记图案的曝光区，位于所述曝光区内围的至少一个第一遮光区域，位于所述曝光区的外围的第二遮光区域以及用于连接所述第一遮光区域和所述第二遮光区域的至少一个第一遮光连接带区。

2.根据权利要求1所述的光刻掩模板，其特征在于，包括：所述第一遮光连接带区的宽度为所述预定对准标记图案的关键尺寸的0.25～0.75倍。

3.根据权利要求1所述的光刻掩模板，其特征在于，用于连接所述第一遮光区域和所述第二遮光区域的所述第一遮光连接带区设置有多个，多个所述第一遮光连接带区在所述第一遮光区域所在平面的不同方位上间隔设置。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的光刻掩模板，其特征在于，所述第一遮光区域设置有多个，相邻的所述第一遮光区域之间设置有将相邻的所述第一遮光区域连接的第二遮光连接带区。

5.根据权利要求1所述的光刻掩模板，其特征在于，所述曝光区包括多个孤立图形区，所述第一遮光区域由多个所述孤立图形区围绕形成；所述第一遮光连接带区位于相邻的所述孤立图形区之间。

6.根据权利要求4所述的光刻掩模板，其特征在于，所述曝光区包括多个孤立图形区，所述第一遮光区域由多个所述孤立图形区围绕形成；所述第一遮光连接带区和所述第二遮光连接带区分别位于相邻的所述孤立图形区之间。

7.一种对准标记，其特征在于，包括：

对准标记主体，位于所述对准标记主体内围的第一区域，位于所述对准标记主体外围的第二区域，将所述第一区域和所述第二区域连接的第一对准标记连接带区。

8.根据权利要求7所述的对准标记，其特征在于，包括：所述第一对准标记连接带区的宽度为所述对准标记主体的关键尺寸的0.25～0.75倍。

9.根据权利要求7所述的对准标记，其特征在于，将所述第一区域和所述第二区域连接的所述第一对准标记连接带区设置有多个，多个所述第一对准标记连接带区在所述第一区域所在平面的不同方位上间隔设置。

10.根据权利要求7至9中任意一项所述的对准标记，其特征在于，与所述对准标记主体对应的所述第一区域设置有多个，相邻的所述第一区域之间设置有将相邻的所述第一区域连接的第二对准标记连接带区。

11.根据权利要求7所述的对准标记，其特征在于，所述对准标记主体包括多个孤立标记区，所述第一区域由多个所述孤立标记区围绕形成；所述第一对准标记连接带区位于相邻的所述孤立标记区之间。

12.根据权利要求10所述的对准标记，其特征在于，所述对准标记主体包括多个孤立标记区，所述第一区域由多个所述孤立标记区围绕形成；所述第一对准标记连接带区和所述第二对准标记连接带区分别位于相邻的所述孤立标记区之间。

13.一种对准标记的制备方法，其特征在于，其应用如上权利要求1至6中任意一项所述的光刻掩模板，包括：

提供依次沉积有薄膜介质层和光刻胶层的基底；

利用所述光刻掩模板对所述光刻胶层进行光刻工艺，以在所述光刻胶层中形成具有预定对准标记图案的凹槽；

以具有所述凹槽的所述光刻胶层为掩蔽，利用湿法刻蚀工艺对所述薄膜介质层进行刻蚀，从而形成所述预定对准标记图案的对准标记。

14.一种湿法刻蚀方法，其特征在于使用如上权利要求1至6中任意一项所述的光刻掩模板进行湿法刻蚀。