[发明专利]TiCB-Al晶种合金、其制造方法及可遗传铝合金有效
| 申请号： | 202010858874.6 | 申请日： | 2020-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN111996424B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 刘相法;聂金凤;孙谦谦;刘桂亮;韩梦霞 | 申请（专利权）人： | 山东大学;山东迈奥晶新材料有限公司;山东吕美熔体技术有限公司 |
| 主分类号： | C22C21/10 | 分类号： | C22C21/10;C22C32/00;C22C1/10;C22C1/03 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 包国菊;刘奕晴 |
| 地址： | 250100 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ticb al 合金 制造 方法 遗传 铝合金 | ||
1.一种TiCB-Al晶种合金，其特征在于，所述TiCB-Al晶种合金包括Al基体以及分散在Al基体上的TiCB@TiBC晶种，所述TiCB@TiBC晶种包括核部和壳部，所述核部包含B掺杂型TiCB，所述壳部包覆所述核部的至少一部分并包含TiBC三元相，其中，所述B掺杂型TiCB是指B原子占据TiCx晶体的C空位而形成的TiCB相并且具有TiCx晶体的晶格结构，所述TiBC三元相是指由Ti、B和C组成的三元相并且不具有TiCx晶体的晶格结构，其中，x＜1。
2.根据权利要求1所述的TiCB-Al晶种合金，其特征在于，在所述TiCB@TiBC晶种的元素含量线扫描分析图中，所述核部中的C含量高于所述壳部中的C含量，所述核部中的B含量低于所述壳部中的B含量。
3.根据权利要求1所述的TiCB-Al晶种合金，其特征在于，所述B掺杂型TiCB由TiCxBy表示，其中，0.72＜x＜0.81，0＜y＜0.17。
4.根据权利要求1所述的TiCB-Al晶种合金，其特征在于，基于100wt％的所述TiCB-Al晶种合金，所述TiCB@TiBC晶种的含量为0.08wt％-10.24wt％。
5.根据权利要求4所述的TiCB-Al晶种合金，其特征在于，基于100wt％的所述TiCB-Al晶种合金，Ti的含量为0.06wt％-7.77wt％，C的含量为0.01wt％-1.30wt％，B的含量为0.01wt％-1.17wt％。
6.根据权利要求1所述的TiCB-Al晶种合金，其特征在于，所述TiCB@TiBC晶种的形貌与六角板片状的TiB2晶体和八面体状或十四面体状的TiCx晶体的形貌不同。
7.根据权利要求6所述的TiCB-Al晶种合金，其特征在于，所述TiCB@TiBC晶种大体呈球形，所述TiCB@TiBC晶种的直径在50nm-800nm之间。
8.根据权利要求1所述的TiCB-Al晶种合金，其特征在于，在沿着从所述TiCB@TiBC晶种的一侧到与所述一侧相对的另一侧的线的元素含量线扫描分析图中，所述TiCB@TiBC晶种中的C含量先增大后减小因而具有单峰形状，所述TiCB@TiBC晶种中的B含量先增大后减小、然后再增大后减小因而具有双峰形状，所述TiCB@TiBC晶种中的C含量的峰值在所述TiCB@TiBC晶种的所述核部，所述TiCB@TiBC晶种的B含量的峰值在所述TiCB@TiBC晶种的所述壳部，所述TiCB@TiBC晶种的C含量的波峰对应于所述TiCB@TiBC晶种的B含量的波谷。
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