[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质

说明书

本发明提供一种能够以较高的温度处理基板并能减少对炉口部造成的热损伤的基板处理装置。基板处理装置具备：反应管，其在内部构成处理室并在下方具有炉口；加热筒，其设于反应管的外周侧，并针对沿管轴向分割的多个分区的每一个设有加热器；多个加热器温度传感器，其测定与各分区对应的加热器的温度；温度调节器，其基于温度测定数据来控制向各加热器供给的电力，而针对每个分区调节温度；和使晶舟旋转的旋转机构，温度调节器在进行基板的加热处理时，针对每个加热器控制向多个加热器供给的电力，使得将与配置有基板的分区对应的所述加热器设为预先设定的温度，并在炉口侧未配置基板的分区内，形成使温度朝向所述炉口下降的温度梯度。

技术领域

本发明涉及基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。

背景技术

在对基板实施热处理的基板处理装置中具有如下的基板处理装置，其在处理基板的反应管周围配置有加热基板的加热器，能够将基板加热至规定温度来进行处理(参照专利文献1、2)。在此，利用旋转机构使搭载基板的晶舟旋转，以使基板的面内处理均匀。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平7-312364号公报

专利文献2：日本专利4436371号公报

发明内容

近几年，谋求面内均匀地处理基板并且以更高的温度进行处理。因此，除了至今为止的温度范围以外，谋求基板处理装置具备在更高的温度范围内也能进行处理的性能。

包括反应管的盖和晶舟的旋转机构等在内的炉口部(炉口组件)应该被保护不受反应管内的热量影响。然而，由于炉口部的结构设计为能够与至今为止的温度范围对应，所以当想要在更高的温度范围内进行处理时，炉口部有时会受到热损伤。

本发明的目的在于，提供一种在以高温处理基板的情况下能够减少对炉口部的构造造成的热损伤的技术。

本发明的一个实施方式的基板处理装置具备：反应管，其一端具有供保持多个基板的晶舟插入的炉口，并在内部构成对所述多个基板进行处理的处理室；多个加热器，其在所述反应管的外周侧从炉口侧设置到所述反应管的另一端，并沿管轴向针对多个分区的每一个分割设置；多个温度传感器，其测定所述分区的温度或与所述分区对应的所述加热器的温度；温度调节器，其基于由所述温度传感器获得的温度数据来控制向各个所述加热器供给的电力，而针对每个所述分区调节温度；和炉口组件，其包括封闭所述炉口的盖，所述温度调节器在加热多个所述加热器来对所述基板进行热处理时，针对每个所述加热器控制向多个所述加热器供给的电力，使得将与配置有所述基板的所述分区对应的所述加热器设为预先设定的温度，并在炉口侧未配置所述基板的两个以上的所述分区内，形成使温度朝向所述炉口下降的温度梯度。

发明效果

根据本发明的技术，在以高温处理基板的情况下能够减少对炉口部造成的热损伤。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式的基板处理装置的主要部分的概要的纵剖视图。

图2是表示基板处理装置的旋转机构的纵剖视图。

图3是在1250℃下处理基板时的基板处理装置的局部放大纵剖视图。

图4是表示基板处理装置的温度调节系统的框图。

图5是在1000℃下处理基板时的基板处理装置的局部放大纵剖视图。

附图标记说明