[发明专利]一种晶圆微结构的制造方法

权利要求书

1.一种晶圆微结构的制造方法，其特征在于，包括：

采用对晶圆本体具有穿透性波长的第一激光束隐形加工晶圆本体，形成自晶圆本体的内部向晶圆本体的表面延伸并连续呈面状的改质层作为目标微结构和待加工部的第一分界面；通过所述第一激光束隐形加工所述待加工部，形成自晶圆本体的内部向晶圆本体的表面延伸的连续呈面状的改质层作为粗加工部和精加工部的第二分界面；所述精加工部位于所述目标微结构与所述粗加工部之间；以及

通过第二激光束自晶圆本体的表面向晶圆本体的内部方向依次去除所述待加工部，获得所述微结构；

其中所述第二激光束的脉宽大于所述第一激光束的脉宽，所述第二激光束包括去除所述精加工部的精加工激光束，以及去除所述粗加工部的粗加工激光束，所述粗加工激光束的脉宽大于所述精加工激光束的脉宽。

2.根据权利要求1所述的晶圆微结构的制造方法，其特征在于，隐形加工的过程中，所述第一激光束与所述晶圆本体能够沿互相垂直的X轴、Y轴及Z轴移动，以使所述第一激光束能够沿第一预设轨迹在晶圆本体内移动并形成第一分界面，以及沿第二预设轨迹在晶圆本体内移动并形成第二分界面。

3.根据权利要求2所述的晶圆微结构的制造方法，其特征在于，所述微结构的深度方向与所述Z轴平行，所述第一激光束在Z轴的加工方向自晶圆本体内部向晶圆本体的表面移动。

4.根据权利要求1所述的晶圆微结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：利用在线监测模块实时获得所述第一分界面、所述第二分界面及去除所述待加工部的完成情况，判断是否进行后续加工步骤。

5.根据权利要求1所述的晶圆微结构的制造方法，其特征在于，所述第一激光束的脉宽范围为200fs～10ps，波长为355nm～1064nm，功率为1W～5W，重复频率为50kHz～200kHz，扫描速度为100mm/s～200mm/s；

所述第二激光束的脉宽范围为200fs～10ns，波长为355nm～1064nm，功率为1W～10W，重复频率为50kHz～200kHz，扫描速度为50mm/s～200mm/s。

6.根据权利要求5所述的晶圆微结构的制造方法，其特征在于，所述第一激光束为飞秒级激光束。

7.根据权利要求5或6所述的晶圆微结构的制造方法，其特征在于，所述第二激光束为纳秒级激光束。