[发明专利]碳化硅籽晶生长表面的图形化处理方法和装置及形成的碳化硅籽晶

权利要求书

1.一种碳化硅籽晶生长表面的图形化处理方法，其特征在于，包括：

提供一待处理的碳化硅籽晶，所述碳化硅籽晶晶向为正C向[0001]与A向存在2°至20°夹角；

于所述待处理的碳化硅籽晶的碳面()上方布置一金属氧化物圆片，所述金属氧化物圆片的下表面与所述待处理的碳化硅籽晶的上表面之间具有250μm至1000μm的间隙；

使用一刻蚀气体通过所述间隙，以刻蚀所述待处理的碳化硅籽晶的碳面()，而形成预设槽沟图形；

其中，使用一刻蚀气体通过所述间隙时，在所述待处理的碳化硅籽晶上表面形成贝纳德对流条纹图案，并利用所述贝纳德对流条纹图案，控制所述刻蚀气体的浓度分布。

2.根据权利要求1所述的碳化硅籽晶生长表面的图形化处理方法，其特征在于，所述待处理的碳化硅籽晶的厚度为300μm至2000μm，和/或所述碳面()的平面度小于等于12μm。

3.根据权利要求1或2所述的碳化硅籽晶生长表面的图形化处理方法，其特征在于，所述金属氧化物圆片与所述待处理的碳化硅籽晶具有相同的直径和/或平面度。

4.根据权利要求1所述的碳化硅籽晶生长表面的图形化处理方法，其特征在于，所述刻蚀的压力为0.5Pa至50Pa，和/或所述刻蚀气体的流量为10sccm至200sccm。

5.根据权利要求1所述的碳化硅籽晶生长表面的图形化处理方法，其特征在于，所述刻蚀过程中所述金属氧化物圆片与所述待处理的碳化硅籽晶的温差为0.5℃至1.5℃。

6.根据权利要求1所述的碳化硅籽晶生长表面的图形化处理方法，其特征在于，所述预设槽沟图形为A面()与碳面()形成的楔形槽沟，所述槽沟延伸方向为。

7.根据权利要求1或6所述的碳化硅籽晶生长表面的图形化处理方法，其特征在于，所述槽沟的深度为15μm至80μm，和/或宽度为200μm至800μm。

8.一种用于权利要求1~7任意一项所述的碳化硅籽晶生长表面的图形化处理方法的处理装置，其特征在于，包括：

壳体，所述壳体内具有一刻蚀腔体，所述刻蚀腔体一侧设有刻蚀气体入口，另一侧设有压力控制出口；

托盘，位于所述刻蚀腔体内，以承托所述待处理碳化硅籽晶，所述碳化硅籽晶晶向为正C向[0001]与A向存在2°至20°夹角；

金属氧化物圆片，位于所述刻蚀腔体内，并位于所述托盘的上方，所述金属氧化物圆片的下表面与所述待处理的碳化硅籽晶的上表面之间具有250μm至1000μm的间隙；

控制单元，位于所述壳体内，并连接所述刻蚀腔体，以控制所述刻蚀气体刻蚀所述待处理的碳化硅籽晶的碳面()，而形成预设槽沟图形。

9.如权利要求8所述的碳化硅籽晶生长表面图形化的处理装置，所述控制单元包括：

耦合的温控组件，位于所述壳体内，所述耦合的温控组件分别连接所述托盘和所述金属氧化物圆片；

平行电极，位于所述壳体内，所述平行电极的阴极连接所述托盘，所述平行电极的阳极连接所述壳体；

射频功率源，位于所述壳体内，并连接所述平行电极。

10.一种碳化硅籽晶，其特征在于，包括：采用权利要求1~7任意一项所述的碳化硅籽晶生长表面的图形化处理方法形成的所述碳化硅籽晶。