[发明专利]一种大直径单晶硅放肩生长工艺有效
| 申请号： | 202010860262.0 | 申请日： | 2020-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN112048761B | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 李永博;王利超;尚锐刚;王永涛;崔彬;方峰 | 申请（专利权）人： | 有研半导体硅材料股份公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00;C30B15/20 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 101300 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 直径 单晶硅 生长 工艺 | ||
1.一种大直径单晶硅放肩生长工艺，其特征在于，放肩系统作业参数中的长度按照1mm、15mm、30mm、45mm、60mm、75mm、90mm、105mm编写，降温速率定义为放肩温度差值除以放肩长度差值；放肩初始时放肩温度SP值减少0-5，在1mm时放肩温度SP值减少1-2；在15mm时放肩温度SP值减少5-6，降温速率为0.3-0.4；在30mm时，放肩温度SP值减少10-12，降温速率为0.3-0.4；在45mm时放肩温度SP值减少20-22，降温速率为0.5-0.6；在60mm时放肩温度SP值减少31-33，降温速率为0.7-0.8；在75mm时放肩温度SP值减少50-55，降温速率为1.2-1.35；在90mm时放肩温度SP值减少69-71，降温速率为1.35-1.4；在105mm时放肩温度SP值减少90-92，降温速率为1.42-1.55。
2.根据权利要求1所述的大直径单晶硅放肩生长工艺，其特征在于，所述单晶硅的等径直径为15英寸以上，放肩长度在90-100mm。
3.根据权利要求1所述的大直径单晶硅放肩生长工艺，其特征在于，所用单晶炉为全自动单晶炉，放肩开始前，操作主界面将热场温度SP值校正成为1300，即将信号值均分为1300份。
4.根据权利要求3所述的大直径单晶硅放肩生长工艺，其特征在于，所述单晶炉适用于15英寸以上的轻掺硼合金单晶，电阻率在1-5Ω·cm。
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